71 - 80 из 476Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Thermoelectric transport in two-dimensional topological insulator state based on HgTe quantum well

    Gusev, G. M., Raichev, O. E., Olshanetsky, E. B., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2019, в: 2D Materials. 6, 1, 11 стр., 014001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Thermoelectric transport in a three-dimensional hgte topological insulator

    Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D. & Mikhailov, N. N., дек. 2021, в: Nanomaterials. 11, 12, 3364.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  4. Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Alperovich, V. L., Shwartz, N. L., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 618-621 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Thermal roughening of GaAs surface by unwinding dislocation-induced spiral atomic steps during sublimation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Rudaya, N. S., Kozhukhov, A. S., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2020, в: Applied Surface Science. 529, 6 стр., 147090.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Thermal Hysteresis in the Resistance of In2Se3Film on Si(111) Surface

    Ponomarev, S., Rogilo, D., Mironov, A., Sheglov, D. & Latyshev, A., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 50-53 4 стр. 9507592. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  7. The piezoelectric gating effect in a thin bent membrane with a two-dimensional electron gas

    Shevyrin, A. A. & Pogosov, A. G., 13 апр. 2018, в: Journal of Physics Condensed Matter. 30, 18, 7 стр., 184003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Theory of systems with small boundary roughness in application to electron states in quantum channels, electro- and hydrodynamics

    Брагинский, Л. С. & Энтин, М. В., 2025, в: Журнал экспериментальной и теоретической физики. 168, 6, стр. 765-771

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. The observation of the Aharonov-Bohm effect in suspended semiconductor ring interferometers

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Shevyrin, A. A., Yu Zhdanov, E., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Ishutkin, S. V., Stepanenko, M. V. & Shesterikov, E. V., 2 мар. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 964, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1...4 5 6 7 8 9 10 11 ...48 Далее

ID: 3084764