221 - 230 из 476Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Observation of different edge current states localization scenarios in a HgTe based two-dimensional topological insulator

    Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Gusev, G. M. & Mikhailov, N. N., мар. 2023, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 147, 115605.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Nucleation sites of Ge nanoislands grown on pit-patterned Si substrate prepared by electron-beam lithography

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rudin, S. A., Novikov, P. L., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 28 апр. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 16, 5 стр., 165302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth

    Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2017, в: Semiconductors. 51, 2, стр. 203-206 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

    Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Non-monotonic variation of the Kramers point band gap with increasing magnetic doping in BiTeI

    Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Rybkin, A. G., Filnov, S. O., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Likholetova, M. V., Voroshnin, V. Y., Petukhov, A. E., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Petaccia, L., Di Santo, G., Kumar, S., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., дек. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 23332.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Non-monotonic behaviour in the mean transverse energy of electrons emitted from a reflection-mode p-GaAs(Cs,O) photocathode during its QE degradation through oxygen exposure

    Jones, L. B., Scheibler, H. E., Kosolobov, S. N., Terekhov, A. S., Militsyn, B. L. & Noakes, T. C. Q., 25 февр. 2021, в: Journal of Physics D: Applied Physics. 54, 20, 205301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Nonlinear Hall Coefficient in Films of a Three-Dimensional Topological Insulator

    Stepina, N. P., Bazhenov, A. O., Shumilin, A. V., Zhdanov, E. Y., Ishchenko, D. V., Kirienko, V. V., Aksenov, M. S. & Tereshchenko, O. E., авг. 2024, в: JETP Letters. 120, 3, стр. 199-204 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Non-integer High-Harmonic Generation from a Topological Insulator Surface

    Meierhofer, M., Schmid, C. P., Weigl, L., Grössing, P., Junk, V., Gorini, C., Schlauderer, S., Ito, S., Hofmann, N., Afanasiev, D., Crewse, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Güdde, J., Evers, F., Wilhelm, J., Richter, K., Höfer, U. & Huber, R., 2022, International Conference on Ultrafast Phenomena, UP 2022. OSA Publishing, 2 стр. W2A.2. (Optics InfoBase Conference Papers).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Eremeev, S. V., Kustov, D. A., Rusinov, I. P., Shamirzaev, T. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., 14 окт. 2022, в: Physical Review Letters. 129, 16, 166802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

    Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...19 20 21 22 23 24 25 26 ...48 Далее

ID: 3084764