1. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Percolation Description of Charge Transport in Amorphous Oxide Semiconductors: Band Conduction Dominated by Disorder

    Nenashev, A. V., Gebhard, F., Meerholz, K. & Baranovskii, S. D., авг. 2022, Amorphous Oxide Semiconductors: A singular resource on amorphous oxide semiconductors edited by a world-recognized pioneer in the field. Hosono, H. & Kumomi, H. (ред.). Wiley-VCH Verlag, стр. 125-144 20 стр. (Amorphous Oxide Semiconductors).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  3. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Parametrization of the charge-carrier mobility in organic disordered semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Hertel, D., Meerholz, K. & Gebhard, F., июл. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 1, 12 стр., 014019.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  8. Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 357-362 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  9. Origin of spin-polarized photocurrents in the topological surface states of Bi2Se3

    Ketterl, A. S., Otto, S., Bastian, M., Andres, B., Gahl, C., Minár, J., Ebert, H., Braun, J., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Fauster, T. & Weinelt, M., 8 окт. 2018, в: Physical Review B. 98, 15, 7 стр., 155406.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Fomin, B. I., Stepikhova, M. V., Yablonskiy, A. N., Gusev, S. A., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 окт. 2019, в: Semiconductors. 53, 10, стр. 1329-1333 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764