Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Robust helical edge transport at ν=0 quantum Hall state

Gusev, G. M., Kozlov, D. A., Levin, A. D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 4, 5 стр., 045304.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO₂

Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A. Y., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 13 июн. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, стр. 3353 8 стр., 3353.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Anomalously large gap and induced out-of-plane spin polarization in magnetically doped 2D Rashba system: V-doped BiTeI

Shikin, A. M., Rybkina, A. A., Klimovskikh, I. I., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K. A., Kimura, A., Skirdkov, P. N., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., 1 июн. 2017, в: 2D Materials. 4, 2, 9 стр., 025055.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Local monitoring of atomic steps on GaAs(001) surface under oxidation, wet removal of oxides and thermal smoothing

Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Sheglov, D. V., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2017, в: Applied Surface Science. 406, стр. 307-311 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi₂Se₃(0001) surface

Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Spin relaxation in Si nanoclusters embedded in free-standing SiGe nanocolumns

Stepina, N. P., Zinovieva, A. F., Dvurechenskii, A. V., Noda, S., Molla, M. Z. & Samukawa, S., 15 мая 2017, в: Applied Physics Letters. 110, 20, 4 стр., 203103.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

A two-dimensional electron gas sensing motion of a nanomechanical cantilever

Shevyrin, A. & Pogosov, A., 12 мая 2017, в: Mechanical Sciences. 8, 1, стр. 111-115 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование