1. Percolation Description of Charge Transport in Amorphous Oxide Semiconductors: Band Conduction Dominated by Disorder

    Nenashev, A. V., Gebhard, F., Meerholz, K. & Baranovskii, S. D., авг. 2022, Amorphous Oxide Semiconductors: A singular resource on amorphous oxide semiconductors edited by a world-recognized pioneer in the field. Hosono, H. & Kumomi, H. (ред.). Wiley-VCH Verlag, стр. 125-144 20 стр. (Amorphous Oxide Semiconductors).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  2. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Phonons in Core-Shell CdSe/CdS Nanoplatelets Studied by Vibrational Spectroscopies

    Kurus, N. N., Milekhin, A. G., Sklyar, R. I., Saidzhonov, B. M., Vasiliev, R. B., Adichtchev, S. V., Surovtsev, N. V., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 28 апр. 2022, в: Journal of Physical Chemistry C. 126, 16, стр. 7107-7116 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Photo- and Thermoelectric Phenomena in Two-Dimensional Topological Insulators and Semimetals Based on HgTe Quantum Wells (Scientific Summary)

    Kvon, Z. D., Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Yaroshevich, A. S. & Mikhailov, N. N., 1 авг. 2020, в: JETP Letters. 112, 3, стр. 161-172 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Photoemission and photon-enhanced thermionic emission: Effect of jump in electron mass

    Alperovich, V. L., Kazantsev, D. M., Zhuravlev, A. G. & Shvartsman, L. D., 30 сент. 2021, в: Applied Surface Science. 561, 149987.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Photoemission from p-GaAs(Cs,O) under transition from negative to positive electron affinity

    Protopopov, D. E., Khoroshilov, V. S., Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M. & Alperovich, V. L., 28 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  8. Photoemission Properties of a Multialkali Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 505-510 6 стр., 8.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  10. Photogalvanic effect induced by intervalley relaxation in a strained two-dimensional Dirac monolayer

    Snegirev, A. V., Kovalev, V. M. & Entin, M. V., 15 февр. 2024, в: Physical Review B. 109, 8, 085422.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764