Formation of InAs/GaP Quantum-Well Heterostructures on Silicon Substrates by Molecular-Beam Epitaxy

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emelyanov, E. A., Nenashev, A. V., Yesin, M. Y., Vasev, A. V., Putyato, M. A., Bogomolov, D. B., Gutakovskiy, A. K. & Preobrazhenskiy, V. V., февр. 2021, в: Semiconductors. 55, 2, стр. 194-201 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gated two-dimensional electron gas in magnetic field: Nonlinear versus linear regime

Dyakonova, N., Dyakonov, M. & Kvon, Z. D., 24 нояб. 2020, в: Physical Review B. 102, 20, 6 стр., 205305.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra

Nenashev, A. V., 20 янв. 2022, в: Frontiers in Physics. 9, 795693.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi₂Se₃(0001) surface

Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Geometric engineering of viscous magnetotransport in a two-dimensional electron system

Levin, A. D., Gusev, G. M., Yaroshevich, A. S., Kvon, Z. D. & Bakarov, A. K., 15 сент. 2023, в: Physical Review B. 108, 11, 9 стр., 115310.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays

Milekhin, A. G., Rahaman, M., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 14 февр. 2018, в: Nanoscale. 10, 6, стр. 2755-2763 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование