Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gated two-dimensional electron gas in magnetic field: Nonlinear versus linear regime

Dyakonova, N., Dyakonov, M. & Kvon, Z. D., 24 нояб. 2020, в: Physical Review B. 102, 20, 6 стр., 205305.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra

Nenashev, A. V., 20 янв. 2022, в: Frontiers in Physics. 9, 795693.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Geometric and electronic structure of the cs-doped Bi₂Se₃(0001) surface

Otrokov, M. M., Ernst, A., Mohseni, K., Fulara, H., Roy, S., Castro, G. R., Rubio-Zuazo, J., Ryabishchenkova, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Chulkov, E. V., Meyerheim, H. L. & Parkin, S. S. P., 22 мая 2017, в: Physical Review B. 95, 20, 9 стр., 205429.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Geometric engineering of viscous magnetotransport in a two-dimensional electron system

Levin, A. D., Gusev, G. M., Yaroshevich, A. S., Kvon, Z. D. & Bakarov, A. K., 15 сент. 2023, в: Physical Review B. 108, 11, 9 стр., 115310.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant gap-plasmon tip-enhanced Raman scattering of MoS2 monolayers on Au nanocluster arrays

Milekhin, A. G., Rahaman, M., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 14 февр. 2018, в: Nanoscale. 10, 6, стр. 2755-2763 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant Magnetic Band Gap in the Rashba-Split Surface State of Vanadium-Doped BiTeI: A Combined Photoemission and Ab Initio Study

Klimovskikh, I. I., Shikin, A. M., Otrokov, M. M., Ernst, A., Rusinov, I. P., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Sánchez-Barriga, J., Varykhalov, A. Y., Rader, O., Kokh, K. A. & Chulkov, E. V., 13 июн. 2017, в: Scientific Reports. 7, 1, стр. 3353 8 стр., 3353.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Giant microwave photoconductance of short channel MOSFETs

Jaroshevich, A. S., Kvon, Z. D., Tkachenko, V. A., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Antonov, V. A. & Popov, V. P., 5 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 6, 063501.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование