Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Etching of step-bunched Si(1 1 1) surface by Se molecular beam observed by in situ REM

Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Ponomarev, S. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2020, в: Journal of Crystal Growth. 529, 125273.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Exact solution for many-body Hamiltonian of interacting particles with linear spectrum

Entin, M. V. & Braginsky, L., 1 окт. 2017, в: Europhysics Letters. 120, 1, 5 стр., 17003.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Fabrication of Au and Ag – Coated AFM probes for tip-enhanced raman spectroscopy

Basalaeva, L. S., Kurus, N. N., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V. & Milekhin, A. G., 17 нояб. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 2015, 1, 012013.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Features and applications of the energy shift of the topological surface state

Estyunin, D. A., Schwier, E. F., Kumar, S., Shimada, K., Kokh, K., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., 15 мар. 2022, в: Physical Review B. 105, 12, 125303.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Features of Microwave Photoconductance of Quantum Point Contact and Silicon Field-Effect Transistor

Jaroshevich, A. S., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Kuzmin, N. S., Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E., Antonov, V. A., Popov, V. P. & Latyshev, A. V., сент. 2024, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 88, 9, стр. 1505-1512 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties

Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Matyushenko, E. V., Neizvestny, I. G., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E. & Epov, V. S., 1 окт. 2020, в: Semiconductors. 54, 10, стр. 1325-1331 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование