1. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Energy spectrum of semimetallic HgTe quantum wells

    Gospodarič, J., Shuvaev, A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., 15 сент. 2021, в: Physical Review B. 104, 11, 115307.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Energy Surface of Pit-Patterned Templates for Growth of Space-Arranged Arrays of Quantum Dots - Molecular Dynamics Calculations Using High-Efficiency Algorithms

    Novikov, P. L., Dvurechenskii, A. V. & Pavsky, K. V., окт. 2019, 2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8934013. (2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  4. Enhanced e–e interaction in suspended 2DEG evidenced by transverse magnetic focusing

    Egorov, D. A., Pokhabov, D. A., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Pogosov, A. G., 9 сент. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 11, 112103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. Enhanced photovoltage on the surface of topological insulator via optical aging

    Yoshikawa, T., Ishida, Y., Sumida, K., Chen, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 7 мая 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 19, 4 стр., 192104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Enhanced surface state protection and band gap in the topological insulator PbBi4 Te4 S3

    Sumida, K., Natsumeda, T., Miyamoto, K., Silkin, I. V., Kuroda, K., Shirai, K., Zhu, S., Taguchi, K., Arita, M., Fujii, J., Varykhalov, A., Rader, O., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V., Okuda, T. & Kimura, A., 1 окт. 2018, в: Physical Review Materials. 2, 10, 8 стр., 104201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Enhancing the photoluminescence response of thick Ge-on-Si layers using photonic crystals

    Yurasov, D., Yablonskiy, A. N., Baidakova, N. A., Shaleev, M., Rodyakina, E. E., Dyakov, S. A. & Novikov, A., 17 февр. 2022, в: Journal Physics D: Applied Physics. 55, 7, 8 стр., 075107.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 5, (292-296), 10.1134/S0021364022100162)

    Nizamov, B. A., Pshirkov, M. S., Maydykovskiy, A. I., Mamonov, E. A., Mitetelo, N. V., Soria, S., Murzina, T. V., Shvetsov, O. O., Barash, Y. S., Timonina, A. V., Kolesnikov, N. N., Deviatov, E. V., Volovik, G. E., Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., еще 8Koroleva, A. V., Shikin, A. M., Sukhanova, E. V., Kvashnin, A. G., Agamalyan, M. A., Zakaryan, H. A., Popov, Z. I. & Lunkin, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 657-659 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

  10. Erratum to: Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction (Journal of Experimental and Theoretical Physics, (2018), 127, 6, (1130-1135), 10.1134/S1063776118120075)

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 128, 5, стр. 816-816 1 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

ID: 3084764