1. 2019
  2. Calculating electric power generated by 3U CubeSat's photoconverters depending the orbit and orientation parameters

    Gorev, V. N., Prokopiev, V. Y., Prokopiev, Y. M., Sinitsina, L. D. & Sidorchuk, A. A., 25 июн. 2019, в: IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. 537, 2, 7 стр., 022079.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  3. Комбинированный модуль раскрытия солнечных панелей и антенн наноспутника класса CubeSat

    Широких, М. В., Сидорчук, А. А., Горев, В. Н. & Прокопьев, В. Ю., 19 июн. 2019, IPC № B64G1/22, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 2692014, Дата приоритета 19 апр. 2018, № приоритета 2018114591

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациипатент на изобретение

  4. Propagation of terahertz surface plasmon polaritons around a convex metal-dielectric interface

    Knyazev, B. A., Gerasimov, V. V., Nikitin, A. K., Azarov, I. A. & Choporova, Y. Y., 1 июн. 2019, в: Journal of the Optical Society of America B: Optical Physics. 36, 6, стр. 1684-1689 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Micro-transformer-based integrated digital isolator in 180/90 nm CMOS

    Butuzov, V., Nazarenko, A., Bocharov, Y., Kus, O., Prokopyev, V., Dmitriev, N., Smirnov, E., Smirnova, T., Trofimov, A. & Salynsky, N., 1 апр. 2019, 2019 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2019 - Proceedings. Stukach, O. (ред.). Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 4 стр. 8729578. (2019 International Siberian Conference on Control and Communications, SIBCON 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. Раскладная конструкция для систем сверхмалого космического аппарата

    Широких, М. В., Сидорчук, А. А., Горев, В. Н. & Прокопьев, В. Ю., 4 февр. 2019, IPC № B64G1/22, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 186809, Дата приоритета 29 окт. 2018, № приоритета 2018138190

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациипатент на полезную модель

  7. Ellipsometric Method for Measuring the CdTe Buffer-Layer Temperature in the Molecular-Beam Epitaxy of CdHgTe

    Shvets, V. A., Azarov, I. A., Marin, D. V., Yakushev, M. V. & Rykhlitsky, S. V., 1 янв. 2019, в: Semiconductors. 53, 1, стр. 132-137 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Experimental Study of LoRa Modulation Immunity to Doppler Effect in CubeSat Radio Communications

    Doroshkin, A. A., Zadorozhny, A. M., Kus, O. N., Prokopyev, V. Y. & Prokopyev, Y. M., 1 янв. 2019, в: IEEE Access. 7, стр. 75721-75731 11 стр., 8723123.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Платформенные решения и модульный принцип проектирования электронных устройств как метод стандартизации и унификации разработок

    Прокопьев, В. Ю., 2019, в: Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 19, 5, стр. 901-911 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. 2018
  11. Digital storing and representation of spectral data of negative ions

    Kazakov, V. V., Kazakov, V. G., Zhumadilov, K. B., Meshkov, O. I. & Yatsenko, A. S., 28 дек. 2018, SIXTH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON NEGATIVE IONS, BEAMS AND SOURCES (NIBS 2018). Belchenko, Y. & Sanin, A. (ред.). American Institute of Physics Inc., Том 2052. 5 стр. 020010. (AIP Conference Proceedings; том 2052).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  12. Atomic Force Microscopy Local Oxidation of GeO Thin Films

    Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2081-2084 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3087547