101 - 110 из 193Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Crystallographic Analysis of the Atomic Configurations in the Cubic (Formula presented.) Structural Type K4Ag18Te11 and Related Structures

    Borisov, S. V., Pervukhina, N. V. & Magarill, S. A., 1 мар. 2020, в: Crystallography Reports. 65, 2, стр. 197-201 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Atomic structure of high Miller index Si(47 35 7) surface

    Zhachuk, R. A., Dolbak, A. E. & Shklyaev, A. A., мар. 2020, в: Surface Science. 693, 5 стр., 121549.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Flexibility of fluorinated graphene-based materials

    Antonova, I., Nebogatikova, N., Zerrouki, N., Kurkina, I. & Ivanov, A., 25 февр. 2020, в: Materials. 13, 5, 14 стр., 1032.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. High Performance All Nonmetal SiNx Resistive Random Access Memory with Strong Process Dependence

    Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., 18 февр. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 9 стр., 2807.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Recognition of Spatial Distribution of CNT and Graphene in Hybrid Structure by Mapping with Coherent Anti-Stokes Raman Microscopy

    Paddubskaya, A., Rutkauskas, D., Karpicz, R., Dovbeshko, G., Nebogatikova, N., Antonova, I. & Dementjev, A., 7 февр. 2020, в: Nanoscale Research Letters. 15, 1, 7 стр., 37.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 154-157 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Crystallographic Analysis and Symmetry Generation for Some Structures with [As2] and [Hg n] (n = 2, 3) Cluster Groups

    Borisov, S. V., Pervukhina, N. V. & Magarill, S. A., 1 февр. 2020, в: Journal of Structural Chemistry. 61, 2, стр. 259-266 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electronic structure and nanoscale potential fluctuations in strongly nonstoichiometric PECVD SiOx

    Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Krivyakin, G. K., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 февр. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 529, 4 стр., 119796.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...7 8 9 10 11 12 13 14 ...20 Далее

ID: 19061863