1 - 10 из 188Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Технология получения высокоупорядоченной ступенчатой поверхности Si (111) -7x7

    Романюк, К. Н. & Шкляев, А. А., 25 нояб. 2011, Новосибирский государственный университет, Патент/Св-во № 6, Дата приоритета 22 нояб. 2011

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрации › свидетельство о регистрации ноу-хау

  2. Обзор интегрально-оптических сенсоров на кремнии - прогнозы и итоги десятилетия [Приглашённая статья]

    Царев, А. В., 31 авг. 2020, в: Автометрия. 56, 4, стр. 111-133 23 стр., 13.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › обзорная статья › Рецензирование

  3. Новый тип оптического сенсора в структуре кремний на изоляторе

    Царев, А. В., 2021, Фотоника 2021: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) Новосибирск, 04-08 октября 2021 г.. Новосибирск: Издательство "Наука". Сибирское отделение, стр. 63 1 стр. 36. (ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. Компенсированный высокоомный буфер для GaN HEMT

    Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Protasov, D. Y., Kozhuhov, A. S., Ber, B. Y., Mansurov, V. G. & Журавлев, К. С., 2019, в: Электроника и микроэлектроника СВЧ». 1, 1, стр. 44-48 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › тезисы › Рецензирование

  5. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica

    Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., сент. 2020, в: Materials Research Bulletin. 129, 6 стр., 110906.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Universal building block for (1 1 0)-family silicon and germanium surfaces

    Zhachuk, R. A. & Shklyaev, A. A., 15 нояб. 2019, в: Applied Surface Science. 494, стр. 46-50 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Undoped High-Resistance GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

    Malin, T. V., Milakhin, D. S., Aleksandrov, I. A., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Zaitsev, A. A., Protasov, D. Y., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y., Mansurov, V. G. & Zhuravlev, K. S., 1 авг. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 8, стр. 761-764 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Two-photon holographic recording in LiTaO3:Fe crystals with high intensity nanosecond pulses at 532 nm

    Steinberg, I. S. & Atuchin, V. V., 1 окт. 2020, в: Materials Chemistry and Physics. 253, 6 стр., 122956.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., авг. 2021, в: Surface Science. 710, 121861.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...19 Далее

ID: 19061863