171 - 180 из 188Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. The charge transport mechanism in amorphous boron nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., 15 сент. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 544, 4 стр., 120213.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors

    Zhuravlev, K. S., Protasov, D. Y., Gulyaev, D. V., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., Lapin, V. G., Lukashin, V. M. & Pashkovskii, A. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 3 стр. 8804008. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., июн. 2021, в: Journal of Physics Condensed Matter. 33, 25, 255501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Marchishin, I. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. The modification of optical properties of the surfaces by the glancing angle deposition of TiO2

    Lemzyakov, A., Konstantin, K., Porosev, V., Azarov, I. & Shklyaev, A., 17 нояб. 2020, Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application, SFR 2020. Knyazev, B. & Vinokurov, N. (ред.). American Institute of Physics Inc., 060008. (AIP Conference Proceedings; том 2299).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  7. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  8. The reentrant four-layer quasi-elliptic bandstop filter

    Atuchin, V. V., Gorbachev, A. P., Khrustalev, V. A. & Tarasenko, N. V., 1 янв. 2019, в: Electronics (Switzerland). 8, 1, 20 стр., 81.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., авг. 2021, в: Surface Science. 710, 121861.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...14 15 16 17 18 19 Далее

ID: 19061863