1. Synthesis of samarium oxysulfateSm2O2SO4 in the high-temperature oxidation reaction and its structural, thermal and luminescent properties

    Denisenko, Y. G., Sal'nikova, E. I., Basova, S. A., Molokeev, M. S., Krylov, A. S., Aleksandrovsky, A. S., Oreshonkov, A. S., Atuchin, V. V., Volkova, S. S., Khritokhin, N. A. & Andreev, O. V., 14 мар. 2020, в: Molecules. 25, 6, 15 стр., 1330.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. The atomic and electronic structure of Hf0.5Zr0.5O2 and Hf0.5Zr0.5O2: La films

    Perevalov, T., Prosvirin, I. P., Suprun, E. A., Mehmood, F., Mikolajick, T., Schroeder, U. & Gritsenko, V. A., дек. 2021, в: Journal of science-Advanced materials and devices. 6, 4, стр. 595-600 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. The charge transport mechanism in amorphous boron nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., 15 сент. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 544, 4 стр., 120213.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. The DA-pHEMT heterostructures for power microwave transistors

    Zhuravlev, K. S., Protasov, D. Y., Gulyaev, D. V., Bakarov, A. K., Toropov, A. I., Lapin, V. G., Lukashin, V. M. & Pashkovskii, A. B., 1 мая 2019, 2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 3 стр. 8804008. (2019 IEEE MTT-S International Wireless Symposium, IWS 2019 - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  5. The effect of barrier layers on 2D electron effective mass in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., июн. 2021, в: Journal of Physics Condensed Matter. 33, 25, 255501.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. The Influence of the InAlAs Layer Surface Morphology on the Temperature Dependence of Parameters of Au/Ti/n-InAlAs(001) Schottky Diodes

    Chistokhin, I. B., Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Marchishin, I. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 2, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. The modification of optical properties of the surfaces by the glancing angle deposition of TiO2

    Lemzyakov, A., Konstantin, K., Porosev, V., Azarov, I. & Shklyaev, A., 17 нояб. 2020, Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application, SFR 2020. Knyazev, B. & Vinokurov, N. (ред.). American Institute of Physics Inc., 060008. (AIP Conference Proceedings; том 2299).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  9. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

  10. The reentrant four-layer quasi-elliptic bandstop filter

    Atuchin, V. V., Gorbachev, A. P., Khrustalev, V. A. & Tarasenko, N. V., 1 янв. 2019, в: Electronics (Switzerland). 8, 1, 20 стр., 81.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 19061863