Standard

Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера. / Гуляев, Д.В.; Дмитриев, Д.В.; Колосовский, Е.А. et al.

ФОТОНИКА-2021: ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ. Новосибирск : Издательство "Наука". Сибирское отделение, 2021. p. 87 (ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ).

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Article in an anthology

Harvard

Гуляев, ДВ, Дмитриев, ДВ, Колосовский, ЕА, Царев, АВ & Журавлев, КС 2021, Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера. in ФОТОНИКА-2021: ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ. ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ, Издательство "Наука". Сибирское отделение, Новосибирск, pp. 87. https://doi.org/10.34077/RCSP2021-87

APA

Гуляев, Д. В., Дмитриев, Д. В., Колосовский, Е. А., Царев, А. В., & Журавлев, К. С. (2021). Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера. In ФОТОНИКА-2021: ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ (pp. 87). (ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ). Издательство "Наука". Сибирское отделение. https://doi.org/10.34077/RCSP2021-87

Vancouver

Гуляев ДВ, Дмитриев ДВ, Колосовский ЕА, Царев АВ, Журавлев КС. Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера. In ФОТОНИКА-2021: ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ. Новосибирск: Издательство "Наука". Сибирское отделение. 2021. p. 87. (ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ). doi: 10.34077/RCSP2021-87

Author

Гуляев, Д.В. ; Дмитриев, Д.В. ; Колосовский, Е.А. et al. / Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера. ФОТОНИКА-2021: ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ. Новосибирск : Издательство "Наука". Сибирское отделение, 2021. pp. 87 (ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ).

BibTeX

@inbook{ebe3bce9995149f08c536c89240272d6,
title = "Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера",
abstract = "В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное соединение с оптическим волокном.",
author = "Д.В. Гуляев and Д.В. Дмитриев and Е.А. Колосовский and Царев, {Андрей Владимирович} and Журавлев, {Константин Сергеевич}",
note = "Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера / Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский [и др.] // Фотоника 2021, Новосибирск, 04–08 октября 2021 года / СО РАН, ИФП СО РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ. – Новосибирск: Сибирское отделение Российской академии наук, 2021. – С. 87. Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и Новосибирской области в рамках научного проекта 20-42-540009.",
year = "2021",
doi = "10.34077/RCSP2021-87",
language = "русский",
isbn = "978-5-6046428-9-4",
series = "ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}. Сибирское отделение",
pages = "87",
booktitle = "ФОТОНИКА-2021",

}

RIS

TY - CHAP

T1 - Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера

AU - Гуляев, Д.В.

AU - Дмитриев, Д.В.

AU - Колосовский, Е.А.

AU - Царев, Андрей Владимирович

AU - Журавлев, Константин Сергеевич

N1 - Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs на фосфид индиевой подложке для электрооптического модулятора Маха-Цендера / Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Е. А. Колосовский [и др.] // Фотоника 2021, Новосибирск, 04–08 октября 2021 года / СО РАН, ИФП СО РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ. – Новосибирск: Сибирское отделение Российской академии наук, 2021. – С. 87. Исследование выполнено при финансовой поддержке РФФИ и Новосибирской области в рамках научного проекта 20-42-540009.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное соединение с оптическим волокном.

AB - В данной статье мы приводим результаты работы по получению и изучению свойств гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) InAlGaAs/InAlAs на подложке InP предназначенных для создания на их основе электрооптического модулятора на основе квантово-размерного эффекта Штарка. Особенностью предлагаемой конструкции модулятора является размещение слоя из нескольких InAlGaAs квантовых ям над толстым буферным слоем In0.52Al0.48As с показателем преломления, превышающим показатель преломления подложки InP. В этом случае слой множественных квантовых ям остается волноводным и в нем формируется основная оптическая мода с небольшим сечением. Оптическая мода во втором волноводе, сформированном из буферного слоя In0.52Al0.48As, характеризуется гораздо большим поперечным сечением, что может обеспечить удобное соединение с оптическим волокном.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46674878&pff=1

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/8e30bc2a-b7bd-33a4-a974-3e37dc952c04/

U2 - 10.34077/RCSP2021-87

DO - 10.34077/RCSP2021-87

M3 - статья в сборнике

SN - 978-5-6046428-9-4

T3 - ФОТОНИКА-2021 : ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ РОССИЙСКОЙ КОНФЕРЕНЦИИ И ШКОЛЫ МОЛОДЫХ УЧЕНЫХ ПО АКТУАЛЬНЫМ ПРОБЛЕМАМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ФОТОЭЛЕКТРОНИКИ

SP - 87

BT - ФОТОНИКА-2021

PB - Издательство "Наука". Сибирское отделение

CY - Новосибирск

ER -

ID: 34988731