Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Ван-дер-Ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого SNSE2 на поверхностях SI(111) и BI2SE3(0001). / Ponomarev, S.A.; Zakhozhev, K.E.; Rogilo, D.I. et al.
In: Автометрия, Vol. 58, No. 6, 2022, p. 21-27.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - Ван-дер-Ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого SNSE2 на поверхностях SI(111) и BI2SE3(0001)
AU - Ponomarev, S.A.
AU - Zakhozhev, K.E.
AU - Rogilo, D.I.
AU - Kurus, N.N.
AU - Sheglov, D.V.
AU - Milekhin, A.G.
AU - Latyshev, A.V.
N1 - Ван-дер-ваальсовый гетероэпитаксиальный рост слоистого SnSe2 на поверхностях Si(111) и Bi2Se3(0001) / С. А. Пономарев, К. Е. Захожев, Д. И. Рогило [и др.] // Автометрия. – 2022. – Т. 58, № 6. – С. 21-27. – DOI 10.15372/AUT20220603.
PY - 2022
Y1 - 2022
N2 - С использованием метода in situ отражательной электронной микроскопии выращены плёнки слоистого SnSe2 толщиной около 50 и 30 нм на подложках Si(111) и Bi2Se3(0001) соответственно. Рост плёнок в обоих случаях проходил по многослойному механизму с формированием выраженных холмов. Высота атомных ступеней измерена методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) и составила 0,6 нм, что соответствует толщине слоя SnSe2. Ex situ АСМ-изображение поверхности SnSe2, выращенное на подложке Si(111), показало высокую концентрацию винтовых дислокаций в плёнке (~12 мкм-2) и присутствие доменов с треугольной огранкой ступеней, имеющих два типа ориентации относительно подложки. Обнаружено, что рост плёнки SnSe2 на поверхности (0001) монокристалла Bi2Se3 происходит с формированием одинаково ориентированных относительно подложки холмов с шестиугольной огранкой. Холмы образовывались по многослойному механизму как в местах выхода на поверхность винтовых дислокаций, так и за счёт периодичного зарождения 2D -островков на наивысших террасах, размеры которых достигают 1 мкм. Методом комбинационного рассеяния света показано, что плёнки на обеих подложках имеют спектры, характерные для фазы 1T-SnSe2.
AB - С использованием метода in situ отражательной электронной микроскопии выращены плёнки слоистого SnSe2 толщиной около 50 и 30 нм на подложках Si(111) и Bi2Se3(0001) соответственно. Рост плёнок в обоих случаях проходил по многослойному механизму с формированием выраженных холмов. Высота атомных ступеней измерена методом атомно-силовой микроскопии (АСМ) и составила 0,6 нм, что соответствует толщине слоя SnSe2. Ex situ АСМ-изображение поверхности SnSe2, выращенное на подложке Si(111), показало высокую концентрацию винтовых дислокаций в плёнке (~12 мкм-2) и присутствие доменов с треугольной огранкой ступеней, имеющих два типа ориентации относительно подложки. Обнаружено, что рост плёнки SnSe2 на поверхности (0001) монокристалла Bi2Se3 происходит с формированием одинаково ориентированных относительно подложки холмов с шестиугольной огранкой. Холмы образовывались по многослойному механизму как в местах выхода на поверхность винтовых дислокаций, так и за счёт периодичного зарождения 2D -островков на наивысших террасах, размеры которых достигают 1 мкм. Методом комбинационного рассеяния света показано, что плёнки на обеих подложках имеют спектры, характерные для фазы 1T-SnSe2.
KW - Ван-дер-Ваальсовая эптиксия
KW - Кремний
KW - Селен
KW - Халькогениды металлов
KW - поверхность
KW - BI2SE3
KW - SNSE2
KW - VAN-DER-WAALS HETEROEPITAXY
KW - Silicon
KW - Selenium
KW - metal chalcogenides
KW - Surface
UR - https://www.mendeley.com/catalogue/8ec414e6-1eca-3321-9770-da4ba4a70b67/
UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=49931808
U2 - 10.15372/aut20220603
DO - 10.15372/aut20220603
M3 - статья
VL - 58
SP - 21
EP - 27
JO - Автометрия
JF - Автометрия
SN - 0320-7102
IS - 6
ER -
ID: 71985154