Standard

Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии. / Utkin, Dmitry; Шкляев, Александр Андреевич.

Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума. Vol. 2 Нижний Новгород : Издательство Нижегородского госуниверситета, 2021. p. 885-886.

Research output: Chapter in Book/Report/Conference proceeding › Conference contribution › Research › peer-review

Harvard

Utkin, D & Шкляев, АА 2021, Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии. in Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума. vol. 2, Издательство Нижегородского госуниверситета, Нижний Новгород, pp. 885-886.

APA

Utkin, D., & Шкляев, А. А. (2021). Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии. In Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума (Vol. 2, pp. 885-886). Издательство Нижегородского госуниверситета.

Vancouver

Utkin D, Шкляев АА. Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии. In Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума. Vol. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета. 2021. p. 885-886

Author

Utkin, Dmitry ; Шкляев, Александр Андреевич. / Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии. Нанофизика и наноэлектроника: Материалы XXV Международного симпозиума. Vol. 2 Нижний Новгород : Издательство Нижегородского госуниверситета, 2021. pp. 885-886

BibTeX

@inproceedings{29015b0136fd45d09fc813e72621613f,
title = "Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии",
abstract = "Нами разрабатывается метод получения упорядоченного массива диэлектрических частиц без использования процесса травления. Метод основан на применении электронной литографии с удалением лишнего материала «взрывом», то есть методом обратной литографии. Нами получены массивы частиц Ge и Si с размерами от 100 до 400 нм на подложках кремния. Установлено, что форма частиц определяется как наклоном стенок отверстий в электронном резисте, так и направлением потока осаждаемого материала. ",
author = "Dmitry Utkin and Шкляев, {Александр Андреевич}",
note = "Уткин Д.Е., Шкляев А.А. Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии // Нанофизика и наноэлектроника : Материалы XXV Международного симпозиума, Нижний Новгород, 09–12 марта 2021 года. – Нижний Новгород: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2021. – С. 885-886.",
year = "2021",
language = "русский",
volume = "2",
pages = "885--886",
booktitle = "Нанофизика и наноэлектроника",
publisher = "Издательство Нижегородского госуниверситета",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии

AU - Utkin, Dmitry

AU - Шкляев, Александр Андреевич

N1 - Уткин Д.Е., Шкляев А.А. Особенности формирования субмикронных частиц Ge и Si методом обратной литографии // Нанофизика и наноэлектроника : Материалы XXV Международного симпозиума, Нижний Новгород, 09–12 марта 2021 года. – Нижний Новгород: Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2021. – С. 885-886.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Нами разрабатывается метод получения упорядоченного массива диэлектрических частиц без использования процесса травления. Метод основан на применении электронной литографии с удалением лишнего материала «взрывом», то есть методом обратной литографии. Нами получены массивы частиц Ge и Si с размерами от 100 до 400 нм на подложках кремния. Установлено, что форма частиц определяется как наклоном стенок отверстий в электронном резисте, так и направлением потока осаждаемого материала.

AB - Нами разрабатывается метод получения упорядоченного массива диэлектрических частиц без использования процесса травления. Метод основан на применении электронной литографии с удалением лишнего материала «взрывом», то есть методом обратной литографии. Нами получены массивы частиц Ge и Si с размерами от 100 до 400 нм на подложках кремния. Установлено, что форма частиц определяется как наклоном стенок отверстий в электронном резисте, так и направлением потока осаждаемого материала.

M3 - статья в сборнике материалов конференции

VL - 2

SP - 885

EP - 886

BT - Нанофизика и наноэлектроника

PB - Издательство Нижегородского госуниверситета

CY - Нижний Новгород

ER -

ID: 28003477