Standard

Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения. / Шевченко, Олеся Николаевна; Кох, Константин Александрович; Николаев, Назар Александрович et al.

2023. 160 - 162 Abstract from XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН
, Самара, Russian Federation.

Research output: Contribution to conferenceAbstractpeer-review

Harvard

Шевченко, ОН, Кох, КА, Николаев, НА, Анцыгин, ВД & Микерин, СЛ 2023, 'Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения', XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН
, Самара, Russian Federation, 14.11.2023 - 18.11.2023 pp. 160 - 162.

APA

Шевченко, О. Н., Кох, К. А., Николаев, Н. А., Анцыгин, В. Д., & Микерин, С. Л. (2023). Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения. 160 - 162. Abstract from XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН
, Самара, Russian Federation.

Vancouver

Шевченко ОН, Кох КА, Николаев НА, Анцыгин ВД, Микерин СЛ. Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения. 2023. Abstract from XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН
, Самара, Russian Federation.

Author

Шевченко, Олеся Николаевна ; Кох, Константин Александрович ; Николаев, Назар Александрович et al. / Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения. Abstract from XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН
, Самара, Russian Federation.3 p.

BibTeX

@conference{367bafa3ffd74339b104ad888d86cdb8,
title = "Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения",
abstract = "В работе исследовались свойства кристаллов GaSe(1-x)Sx, где х принимает значения 0, 0.03, 0.12, 0.16 и 0.22 в инфракрасном и терагерцовом диапазонах. Измерены показатели преломления при λ = 1547 нм и в пределах 0,1 – 2,6 ТГц. Измерена эффективность детектирования терагерцового излучения в образцах при лазерной накачке 1,55 мкм. Оценены значения электрооптического и нелинейного коэффициентов кристаллов. Наиболее эффективный детектор имеет значения х = 0,12, r22 = 1,26 пм/В и d22 = 17,6 пм/В. ",
author = "Шевченко, {Олеся Николаевна} and Кох, {Константин Александрович} and Николаев, {Назар Александрович} and Анцыгин, {Валерий Дмитриевич} and Микерин, {Сергей Львович}",
year = "2023",
language = "русский",
pages = "160 -- 162",
note = "XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН<br/> ; Conference date: 14-11-2023 Through 18-11-2023",

}

RIS

TY - CONF

T1 - Оценка перспектив применений кристаллов GaSe(1-x)Sx в телекоммуникационных устройствах нового поколения

AU - Шевченко, Олеся Николаевна

AU - Кох, Константин Александрович

AU - Николаев, Назар Александрович

AU - Анцыгин, Валерий Дмитриевич

AU - Микерин, Сергей Львович

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - В работе исследовались свойства кристаллов GaSe(1-x)Sx, где х принимает значения 0, 0.03, 0.12, 0.16 и 0.22 в инфракрасном и терагерцовом диапазонах. Измерены показатели преломления при λ = 1547 нм и в пределах 0,1 – 2,6 ТГц. Измерена эффективность детектирования терагерцового излучения в образцах при лазерной накачке 1,55 мкм. Оценены значения электрооптического и нелинейного коэффициентов кристаллов. Наиболее эффективный детектор имеет значения х = 0,12, r22 = 1,26 пм/В и d22 = 17,6 пм/В.

AB - В работе исследовались свойства кристаллов GaSe(1-x)Sx, где х принимает значения 0, 0.03, 0.12, 0.16 и 0.22 в инфракрасном и терагерцовом диапазонах. Измерены показатели преломления при λ = 1547 нм и в пределах 0,1 – 2,6 ТГц. Измерена эффективность детектирования терагерцового излучения в образцах при лазерной накачке 1,55 мкм. Оценены значения электрооптического и нелинейного коэффициентов кристаллов. Наиболее эффективный детектор имеет значения х = 0,12, r22 = 1,26 пм/В и d22 = 17,6 пм/В.

M3 - тезисы

SP - 160

EP - 162

T2 - XXI Всероссийская молодежная Самарская конкурс-конференция по оптике, лазерной физике и физике плазмы, посвященная 300-летию РАН<br/>

Y2 - 14 November 2023 through 18 November 2023

ER -

ID: 59395545