Standard

Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм. / Бойко, Андрей Александрович; Сере , Севин Эрелович; Ерушин, Евгений Юрьевич et al.

In: Квантовая электроника, Vol. 55, No. 7, 7, 2025, p. 434.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Бойко, АА, Сере , СЭ, Ерушин, ЕЮ, Вострикова, МВ, Костюкова, НЮ, Шевырдяева, ГС & Бадиков, ДВ 2025, 'Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм', Квантовая электроника, vol. 55, no. 7, 7, pp. 434. <https://quantum-electronics.ru/wp-content/uploads/2025/07/434.pdf>

APA

Бойко, А. А., Сере , С. Э., Ерушин, Е. Ю., Вострикова, М. В., Костюкова, Н. Ю., Шевырдяева, Г. С., & Бадиков, Д. В. (2025). Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм. Квантовая электроника, 55(7), 434. [7]. https://quantum-electronics.ru/wp-content/uploads/2025/07/434.pdf

Vancouver

Бойко АА, Сере СЭ, Ерушин ЕЮ, Вострикова МВ, Костюкова НЮ, Шевырдяева ГС et al. Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм. Квантовая электроника. 2025;55(7):434. 7.

Author

Бойко, Андрей Александрович ; Сере , Севин Эрелович ; Ерушин, Евгений Юрьевич et al. / Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм. In: Квантовая электроника. 2025 ; Vol. 55, No. 7. pp. 434.

BibTeX

@article{d2ae87b8e87b41d2afc56ccd4c9f9c9d,
title = "Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм",
abstract = "Исследованы оптические свойства нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16, такие как диапазон прозрачности, возможный диапазон перестройки длины волны при накачке на длинах волн 1.064, 1.5, 1.85 и 2.09 мкм и лучевая стойкость к излучению с длиной волны ~2 мкм при частоте следования импульсов 1 кГц с использованием методики R-on-1. Показано, что кристаллы демонстрируют высокую лучевую стойкость порядка 5.8 – 6.4 Дж/см2.Сочетание высокого порога лучевой стойкости и широкого диапазона прозрачности (до 12 мкм) позволяет предположить, что серосодержащие кристаллы халькогенида бария перспективны для разработки широкоперестраиваемых источников излучения с высокой энергией в импульсе для различных применений, таких как медицинская лазерная хирургия и абляция.",
keywords = "БАРИЕВЫЕ ХАЛЬКОГЕНИДЫ, ПАРАМЕТРИЧЕСКАЯ ГЕНЕРАЦИЯ СВЕТА, ПОРОГ ЛУЧЕВОЙ СТОЙКОСТИ, СРЕДНИЙ ИК ДИАПАЗОН",
author = "Бойко, {Андрей Александрович} and Сере, {Севин Эрелович} and Ерушин, {Евгений Юрьевич} and Вострикова, {Маргарита Витальевна} and Костюкова, {Надежда Юрьевна} and Шевырдяева, {Галина Сергеевна} and Бадиков, {Дмитрий Валерьевич}",
note = "Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм / А.А. Бойко, С.Э. Сере, Е.Ю. Ерушин [и др.] // Квантовая электроника. – 2025. – Т. 55. - № 7. – С. 434-439. – EDN VUPBPG. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда и Правительства Новосибирской области (проект № 24-22-20049); https://rscf.ru/project/ 24-22-20049.",
year = "2025",
language = "русский",
volume = "55",
pages = "434",
journal = "Kvantovaya Elektronika",
issn = "0368-7147",
publisher = "Russian Federationn Academy of Sciences",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм

AU - Бойко, Андрей Александрович

AU - Сере , Севин Эрелович

AU - Ерушин, Евгений Юрьевич

AU - Вострикова, Маргарита Витальевна

AU - Костюкова, Надежда Юрьевна

AU - Шевырдяева, Галина Сергеевна

AU - Бадиков, Дмитрий Валерьевич

N1 - Сравнительное исследование нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16 для параметрических генераторов света с накачкой излучением с длиной волны 1 - 2 мкм / А.А. Бойко, С.Э. Сере, Е.Ю. Ерушин [и др.] // Квантовая электроника. – 2025. – Т. 55. - № 7. – С. 434-439. – EDN VUPBPG. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда и Правительства Новосибирской области (проект № 24-22-20049); https://rscf.ru/project/ 24-22-20049.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Исследованы оптические свойства нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16, такие как диапазон прозрачности, возможный диапазон перестройки длины волны при накачке на длинах волн 1.064, 1.5, 1.85 и 2.09 мкм и лучевая стойкость к излучению с длиной волны ~2 мкм при частоте следования импульсов 1 кГц с использованием методики R-on-1. Показано, что кристаллы демонстрируют высокую лучевую стойкость порядка 5.8 – 6.4 Дж/см2.Сочетание высокого порога лучевой стойкости и широкого диапазона прозрачности (до 12 мкм) позволяет предположить, что серосодержащие кристаллы халькогенида бария перспективны для разработки широкоперестраиваемых источников излучения с высокой энергией в импульсе для различных применений, таких как медицинская лазерная хирургия и абляция.

AB - Исследованы оптические свойства нелинейных кристаллов BaGa4S7, BaGa2GeS6 и Ba2Ga8GeS16, такие как диапазон прозрачности, возможный диапазон перестройки длины волны при накачке на длинах волн 1.064, 1.5, 1.85 и 2.09 мкм и лучевая стойкость к излучению с длиной волны ~2 мкм при частоте следования импульсов 1 кГц с использованием методики R-on-1. Показано, что кристаллы демонстрируют высокую лучевую стойкость порядка 5.8 – 6.4 Дж/см2.Сочетание высокого порога лучевой стойкости и широкого диапазона прозрачности (до 12 мкм) позволяет предположить, что серосодержащие кристаллы халькогенида бария перспективны для разработки широкоперестраиваемых источников излучения с высокой энергией в импульсе для различных применений, таких как медицинская лазерная хирургия и абляция.

KW - БАРИЕВЫЕ ХАЛЬКОГЕНИДЫ

KW - ПАРАМЕТРИЧЕСКАЯ ГЕНЕРАЦИЯ СВЕТА

KW - ПОРОГ ЛУЧЕВОЙ СТОЙКОСТИ

KW - СРЕДНИЙ ИК ДИАПАЗОН

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=85289236

M3 - статья

VL - 55

SP - 434

JO - Kvantovaya Elektronika

JF - Kvantovaya Elektronika

SN - 0368-7147

IS - 7

M1 - 7

ER -

ID: 74229504