Standard

Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение. / Дураков, Денис Евгеньевич; Петров, Алексей Сергеевич; Рогило, Дмитрий Игоревич et al.

In: Физика и техника полупроводников, Vol. 59, No. 2, 2025, p. 102-108.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Дураков, ДЕ, Петров, АС, Рогило, ДИ, Макеева, АА, Насимов, ДА, Никифоров, ДФ, Курусь, НН, Милёхин, АГ, Щеглов, ДВ & Латышев, АВ 2025, 'Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение', Физика и техника полупроводников, vol. 59, no. 2, pp. 102-108. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60984.8241

APA

Дураков, Д. Е., Петров, А. С., Рогило, Д. И., Макеева, А. А., Насимов, Д. А., Никифоров, Д. Ф., Курусь, Н. Н., Милёхин, А. Г., Щеглов, Д. В., & Латышев, А. В. (2025). Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение. Физика и техника полупроводников, 59(2), 102-108. https://doi.org/10.61011/FTP.2025.02.60984.8241

Vancouver

Дураков ДЕ, Петров АС, Рогило ДИ, Макеева АА, Насимов ДА, Никифоров ДФ et al. Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение. Физика и техника полупроводников. 2025;59(2):102-108. doi: 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241

Author

Дураков, Денис Евгеньевич ; Петров, Алексей Сергеевич ; Рогило, Дмитрий Игоревич et al. / Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение. In: Физика и техника полупроводников. 2025 ; Vol. 59, No. 2. pp. 102-108.

BibTeX

@article{7e5ce46ab83e4c418d071071e8aad02b,
title = "Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение",
abstract = "Исследовано изменение дифракционных картин в режиме in situ в процессе формирования графена на поверхности подложек 6H-SiC(0001). Определены характерные особенности изменения дифракционных картин при индуцированных термическим отжигом морфологических переходах от изначально шероховатой поверхности 6H-SiC(0001) к ступенчато-террасированной с последующим формированием на ней буферного углеродного слоя и, далее, эпитаксиального графена. С помощью ex situ методов атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлена корреляция морфологии, стехиометрического состава и степени совершенства поверхности образцов с наблюдаемыми дифракционными картинами, полученными на соответствующих этапах формирования графена.",
keywords = "ГРАФЕН, SIC, АСМ, КРС, СЭМ, ДБЭО",
author = "Дураков, {Денис Евгеньевич} and Петров, {Алексей Сергеевич} and Рогило, {Дмитрий Игоревич} and Макеева, {Анастасия Анатольевна} and Насимов, {Дмитрий Александрович} and Никифоров, {Данил Фёдорович} and Курусь, {Нина Николаевна} and Милёхин, {Александр Германович} and Щеглов, {Дмитрий Владимирович} and Латышев, {Александр Васильевич}",
note = "Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение / Д. Е. Дураков, А. С. Петров, Д. И. Рогило [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 2. – С. 102-108. – DOI 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241. – EDN DZCVAV. Работа выполнена на оборудовании ЦКП {"}Наноструктуры{"}. Эксперименты и диагностика методом КРС выполнены при поддержке государственного задания (проект N FWGW-2025-0014). Диагностика методами СЭМ и АСМ выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 19-72-30023). ",
year = "2025",
doi = "10.61011/FTP.2025.02.60984.8241",
language = "русский",
volume = "59",
pages = "102--108",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",
number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение

AU - Дураков, Денис Евгеньевич

AU - Петров, Алексей Сергеевич

AU - Рогило, Дмитрий Игоревич

AU - Макеева, Анастасия Анатольевна

AU - Насимов, Дмитрий Александрович

AU - Никифоров, Данил Фёдорович

AU - Курусь, Нина Николаевна

AU - Милёхин, Александр Германович

AU - Щеглов, Дмитрий Владимирович

AU - Латышев, Александр Васильевич

N1 - Контроль формирования слоев графена на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ дифракции быстрых электронов на отражение / Д. Е. Дураков, А. С. Петров, Д. И. Рогило [и др.] // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 2. – С. 102-108. – DOI 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241. – EDN DZCVAV. Работа выполнена на оборудовании ЦКП "Наноструктуры". Эксперименты и диагностика методом КРС выполнены при поддержке государственного задания (проект N FWGW-2025-0014). Диагностика методами СЭМ и АСМ выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 19-72-30023).

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Исследовано изменение дифракционных картин в режиме in situ в процессе формирования графена на поверхности подложек 6H-SiC(0001). Определены характерные особенности изменения дифракционных картин при индуцированных термическим отжигом морфологических переходах от изначально шероховатой поверхности 6H-SiC(0001) к ступенчато-террасированной с последующим формированием на ней буферного углеродного слоя и, далее, эпитаксиального графена. С помощью ex situ методов атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлена корреляция морфологии, стехиометрического состава и степени совершенства поверхности образцов с наблюдаемыми дифракционными картинами, полученными на соответствующих этапах формирования графена.

AB - Исследовано изменение дифракционных картин в режиме in situ в процессе формирования графена на поверхности подложек 6H-SiC(0001). Определены характерные особенности изменения дифракционных картин при индуцированных термическим отжигом морфологических переходах от изначально шероховатой поверхности 6H-SiC(0001) к ступенчато-террасированной с последующим формированием на ней буферного углеродного слоя и, далее, эпитаксиального графена. С помощью ex situ методов атомно-силовой микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света установлена корреляция морфологии, стехиометрического состава и степени совершенства поверхности образцов с наблюдаемыми дифракционными картинами, полученными на соответствующих этапах формирования графена.

KW - ГРАФЕН

KW - SIC

KW - АСМ

KW - КРС

KW - СЭМ

KW - ДБЭО

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=83896421

U2 - 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241

DO - 10.61011/FTP.2025.02.60984.8241

M3 - статья

VL - 59

SP - 102

EP - 108

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 2

ER -

ID: 74616367