Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне

Standard

Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне. / Блошкин, Алексей Александрович; Якимов, А.И.

In: Физика и техника полупроводников, Vol. 59, No. 4, 2025, p. 235-241.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{e3ca4544f9134a2a8a5cad156a2e2d96,

title = "Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне",

abstract = "Методами математического моделирования исследовано пространственное распределение электромагнитного поля световой волны в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложке кремний-на-изоляторе, сопряженных с фотонным кристаллом. Решетка воздушных отверстий служила для преобразования излучения, падающего по нормали к поверхности, в планарные моды волновода. Период фотонного кристалла варьировался от 1.3 до 1.8 мкм, глубина отверстий --- в диапазоне от 100 до 1100 нм, диаметр отверстия равен 2/3 от периода структуры. Обнаружена серия оптических резонансов с многократным (до 300 раз) усилением интенсивности поля световой волны в слоях квантовых точек в диапазоне длин волн 2-6 мкм по сравнению со структурой без отверстий. Определены оптимальные параметры структуры (период фотонного кристалла и глубина отверстий), обеспечивающие максимальное усиление фотоотклика.",

keywords = "КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ GE/SI, ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ, ВОЛНОВОДНЫЕ МОДЫ, УСИЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ",

author = "Блошкин, {Алексей Александрович} and А.И. Якимов",

note = "Блошкин, А. А. Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне / А. А. Блошкин, А. И. Якимов // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 4. – С. 235-241. – DOI 10.61011/FTP.2025.04.61257.7801. – EDN HGPZBM. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема N FWGW-2025-0023 {"}Управление функциональными характеристиками компонент нанофотоники и наноэлектроники на основе полупроводниковых наноструктур{"}). ",

year = "2025",

doi = "10.61011/FTP.2025.04.61257.7801",

language = "русский",

volume = "59",

pages = "235--241",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",

number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне

AU - Блошкин, Алексей Александрович

AU - Якимов, А.И.

N1 - Блошкин, А. А. Повышение эффективности фотоприемных структур на основе квантовых точек Ge/Si модами фотонного кристалла в среднем инфракрасном диапазоне / А. А. Блошкин, А. И. Якимов // Физика и техника полупроводников. – 2025. – Т. 59, № 4. – С. 235-241. – DOI 10.61011/FTP.2025.04.61257.7801. – EDN HGPZBM. Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации (тема N FWGW-2025-0023 "Управление функциональными характеристиками компонент нанофотоники и наноэлектроники на основе полупроводниковых наноструктур").

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Методами математического моделирования исследовано пространственное распределение электромагнитного поля световой волны в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложке кремний-на-изоляторе, сопряженных с фотонным кристаллом. Решетка воздушных отверстий служила для преобразования излучения, падающего по нормали к поверхности, в планарные моды волновода. Период фотонного кристалла варьировался от 1.3 до 1.8 мкм, глубина отверстий --- в диапазоне от 100 до 1100 нм, диаметр отверстия равен 2/3 от периода структуры. Обнаружена серия оптических резонансов с многократным (до 300 раз) усилением интенсивности поля световой волны в слоях квантовых точек в диапазоне длин волн 2-6 мкм по сравнению со структурой без отверстий. Определены оптимальные параметры структуры (период фотонного кристалла и глубина отверстий), обеспечивающие максимальное усиление фотоотклика.

AB - Методами математического моделирования исследовано пространственное распределение электромагнитного поля световой волны в гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложке кремний-на-изоляторе, сопряженных с фотонным кристаллом. Решетка воздушных отверстий служила для преобразования излучения, падающего по нормали к поверхности, в планарные моды волновода. Период фотонного кристалла варьировался от 1.3 до 1.8 мкм, глубина отверстий --- в диапазоне от 100 до 1100 нм, диаметр отверстия равен 2/3 от периода структуры. Обнаружена серия оптических резонансов с многократным (до 300 раз) усилением интенсивности поля световой волны в слоях квантовых точек в диапазоне длин волн 2-6 мкм по сравнению со структурой без отверстий. Определены оптимальные параметры структуры (период фотонного кристалла и глубина отверстий), обеспечивающие максимальное усиление фотоотклика.

KW - КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ GE/SI

KW - ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ

KW - ВОЛНОВОДНЫЕ МОДЫ

KW - УСИЛЕНИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ПОЛЯ

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=83997434

U2 - 10.61011/FTP.2025.04.61257.7801

DO - 10.61011/FTP.2025.04.61257.7801

M3 - статья

VL - 59

SP - 235

EP - 241

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 4

ER -

ID: 75451045