TY - JOUR

T1 - Влияние лазерной абляции на состав поверхности и свойства оптических элементов из кристаллов LiGaSe2, LiGaS2 при создании антиотражающих микроструктур

AU - Голошумова, Алина Александровна

AU - Шкляев, Александр Андреевич

AU - Исаенко, Людмила Ивановна

AU - Лобанов, Сергей Иванович

AU - Курусь, Алексей Федорович

AU - Бушунов, Андрей Алексеевич

AU - Тесленко, Андрей Александрович

AU - Тарабрин, Михаил Константинович

N1 - Влияние лазерной абляции на состав поверхности и свойства оптических элементов из кристаллов LiGaSe2, LiGaS2 при создании антиотражающих микроструктур / А. А. Голошумова, А. А. Шкляев, Л. И. Исаенко [и др.] // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. – 2025. – Т. 22, № 2. – С. 174-183. – DOI 10.25712/ASTU.1811-1416.2025.02.005. – EDN MTJRJO.

PY - 2025

Y1 - 2025

N2 - Создание антиотражающих микроструктур (ARM) на поверхности оптических элементов из кристаллов халькогенидов позволяет существенно повысить их пропускание. Однако поверхность с микроструктурами может быть подвержена процессам, вызывающим избыточное поглощение на определенных длинах волн. Этот эффект характерен для селеногаллата и тиогаллата лития —перспективных нелинейно-оптических материалов для среднего ИК. Для указанных материалов сильное поглощение появляется на спектрах вблизи 3 и 6 мкм. В настоящей работе приведены результаты комплексного исследования изменений поверхности кристаллов LiGaSe2и LiGaS2после фемтосекундной лазерной абляции, а так-же описана методика снижения избыточного поглощения путем отжига оптических элементов с микро-структурами в специальной атмосфере. Установлено, что для LiGaSe2на поверхности с ARM присутствует избыточное количество селена, в то время как для LiGaS2 характерно преобладание соединений галлия. При этом, в отличие от LiGaSe2, для LiGaS2 на измененной поверхности с микроструктурами образуется плотный «налет». В результате проведенных экспериментов было показано, что отжиг оптических элементов LiGaSe2, LiGaS2с ARM позволяет устранить поглощение на длинах волн 3 и 6 мкм.

AB - Создание антиотражающих микроструктур (ARM) на поверхности оптических элементов из кристаллов халькогенидов позволяет существенно повысить их пропускание. Однако поверхность с микроструктурами может быть подвержена процессам, вызывающим избыточное поглощение на определенных длинах волн. Этот эффект характерен для селеногаллата и тиогаллата лития —перспективных нелинейно-оптических материалов для среднего ИК. Для указанных материалов сильное поглощение появляется на спектрах вблизи 3 и 6 мкм. В настоящей работе приведены результаты комплексного исследования изменений поверхности кристаллов LiGaSe2и LiGaS2после фемтосекундной лазерной абляции, а так-же описана методика снижения избыточного поглощения путем отжига оптических элементов с микро-структурами в специальной атмосфере. Установлено, что для LiGaSe2на поверхности с ARM присутствует избыточное количество селена, в то время как для LiGaS2 характерно преобладание соединений галлия. При этом, в отличие от LiGaSe2, для LiGaS2 на измененной поверхности с микроструктурами образуется плотный «налет». В результате проведенных экспериментов было показано, что отжиг оптических элементов LiGaSe2, LiGaS2с ARM позволяет устранить поглощение на длинах волн 3 и 6 мкм.

KW - СЕЛЕНОГАЛЛАТ ЛИТИЯ LIGASE2

KW - ТИОГАЛЛАТ ЛИТИЯ LIGAS2

KW - НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИЕ КРИСТАЛЛЫ

KW - АНТИОТРАЖАЮЩИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ (ARM)

KW - ФЕМТОСЕКУНДНАЯ ЛАЗЕРНАЯ АБЛЯЦИЯ

KW - ПОВЕРХНОСТЬ ОПТИЧЕСКОГО ЭЛЕМЕНТА

KW - СПЕКТРЫ ПРОПУСКАНИЯ

KW - ПОГЛОЩЕНИЕ

KW - СПЕКТРОСКОПИЯ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ

KW - ОТЖИГ КРИСТАЛЛОВ

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=87146166

U2 - 10.25712/ASTU.1811-1416.2025.02.005

DO - 10.25712/ASTU.1811-1416.2025.02.005

M3 - статья

VL - 22

SP - 174

EP - 183

JO - Фундаментальные проблемы современного материаловедения

JF - Фундаментальные проблемы современного материаловедения

SN - 1811-1416

IS - 2

ER -