Standard

Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники. / Якимов, А.И.; Кириенко, В.В.; Блошкин, Алексей Александрович et al.

In: Физика и техника полупроводников, Vol. 55, No. 7, 10, 2021, p. 596-601.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Якимов, АИ, Кириенко, ВВ, Блошкин, АА, Двуреченский, АВ & Utkin, D 2021, 'Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники', Физика и техника полупроводников, vol. 55, no. 7, 10, pp. 596-601. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51025.9643

APA

Якимов, А. И., Кириенко, В. В., Блошкин, А. А., Двуреченский, А. В., & Utkin, D. (2021). Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники. Физика и техника полупроводников, 55(7), 596-601. [10]. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.07.51025.9643

Vancouver

Якимов АИ, Кириенко ВВ, Блошкин АА, Двуреченский АВ, Utkin D. Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники. Физика и техника полупроводников. 2021;55(7):596-601. 10. doi: 10.21883/FTP.2021.07.51025.9643

Author

Якимов, А.И. ; Кириенко, В.В. ; Блошкин, Алексей Александрович et al. / Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники. In: Физика и техника полупроводников. 2021 ; Vol. 55, No. 7. pp. 596-601.

BibTeX

@article{f4cc3c243da043a9b664524ba4a5275c,
title = "Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники",
abstract = "Разработаны планарные плазмонные фотодетекторы Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложках кремний-на-изоляторе, сопряженные с регулярными массивами металлических нанодисков на их поверхности. Обнаружено, что введение адгезионных слоев, необходимых для формирования стабильных наноструктур из благородных металлов, ведет к подавлению поверхностного плазмонного резонанса. Выбор алюминиевых нанодисков, не требующих адгезионных слоев, позволяет повысить эффективность фотоприемников в 40 раз на длине волны 1.2 мкм и в 15 раз при λ=1.65 мкм. Ключевые слова: локализованные поверхностные плазмоны, квантовые точки Ge/Si, фотоприемники.",
author = "А.И. Якимов and В.В. Кириенко and Блошкин, {Алексей Александрович} and Двуреченский, {Анатолий Васильевич} and Dmitry Utkin",
note = "Якимов А.И., Кириенко В.В., Блошкин А.А., Двуреченсикй А.В., Уткин Д.Е. Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si // Физика и техника полупроводников. – 2021. – Т. 55. – № 7. – С. 596-601.",
year = "2021",
doi = "10.21883/FTP.2021.07.51025.9643",
language = "русский",
volume = "55",
pages = "596--601",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si, фотоприемники

AU - Якимов, А.И.

AU - Кириенко, В.В.

AU - Блошкин, Алексей Александрович

AU - Двуреченский, Анатолий Васильевич

AU - Utkin, Dmitry

N1 - Якимов А.И., Кириенко В.В., Блошкин А.А., Двуреченсикй А.В., Уткин Д.Е. Влияние адгезионных слоев на плазмонное усиление фототока металлическими нанодисками в фотодетекторах ближнего ИК-диапазона на базе квантовых точек Ge/Si // Физика и техника полупроводников. – 2021. – Т. 55. – № 7. – С. 596-601.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Разработаны планарные плазмонные фотодетекторы Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложках кремний-на-изоляторе, сопряженные с регулярными массивами металлических нанодисков на их поверхности. Обнаружено, что введение адгезионных слоев, необходимых для формирования стабильных наноструктур из благородных металлов, ведет к подавлению поверхностного плазмонного резонанса. Выбор алюминиевых нанодисков, не требующих адгезионных слоев, позволяет повысить эффективность фотоприемников в 40 раз на длине волны 1.2 мкм и в 15 раз при λ=1.65 мкм. Ключевые слова: локализованные поверхностные плазмоны, квантовые точки Ge/Si, фотоприемники.

AB - Разработаны планарные плазмонные фотодетекторы Ge/Si с квантовыми точками Ge на подложках кремний-на-изоляторе, сопряженные с регулярными массивами металлических нанодисков на их поверхности. Обнаружено, что введение адгезионных слоев, необходимых для формирования стабильных наноструктур из благородных металлов, ведет к подавлению поверхностного плазмонного резонанса. Выбор алюминиевых нанодисков, не требующих адгезионных слоев, позволяет повысить эффективность фотоприемников в 40 раз на длине волны 1.2 мкм и в 15 раз при λ=1.65 мкм. Ключевые слова: локализованные поверхностные плазмоны, квантовые точки Ge/Si, фотоприемники.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=46488614&

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/e84040b9-ab17-3d19-a179-2c81a25268f9/

U2 - 10.21883/FTP.2021.07.51025.9643

DO - 10.21883/FTP.2021.07.51025.9643

M3 - статья

VL - 55

SP - 596

EP - 601

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 7

M1 - 10

ER -

ID: 35214928