Standard

Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия. / Сергей, Бортников; Герасимов, Василий Валерьевич; Дмитриев, Д.В.

In: Автометрия, Vol. 61, No. 6, 12.2025, p. 15-22.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Сергей, Б, Герасимов, ВВ & Дмитриев, ДВ 2025, 'Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия', Автометрия, vol. 61, no. 6, pp. 15-22. https://doi.org/10.15372/AUT20250602

APA

Сергей, Б., Герасимов, В. В., & Дмитриев, Д. В. (2025). Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия. Автометрия, 61(6), 15-22. https://doi.org/10.15372/AUT20250602

Vancouver

Сергей Б, Герасимов ВВ, Дмитриев ДВ. Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия. Автометрия. 2025 Dec;61(6):15-22. doi: 10.15372/AUT20250602

Author

Сергей, Бортников ; Герасимов, Василий Валерьевич ; Дмитриев, Д.В. / Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия. In: Автометрия. 2025 ; Vol. 61, No. 6. pp. 15-22.

BibTeX

@article{fb8319c02bd549f78a6b3ffc2150a776,
title = "Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия",
abstract = "В работе исследован способ модуляции ТГц-излучения, основанный на явлении фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия (VO2). При термическом разогреве пленки VO2 на кремниевой подложке до металлического состояния наблюдается ослабление пропускания ТГц-излучения на ~80%. Для двухэлектродных структур с пленкой VO2 с межэлектродным расстоянием миллиметровых размеров при нагреве пленки электрическим током наблюдается ослабление пропускания лишь на ~42%. При этом из-за разогрева подложки, на которую нанесена пленка VO2, происходит медленная (секундная) динамика охлаждения и обратного перехода пленки в полупроводниковое состояние. Для увеличения модуляционной частоты до сотен кГц предлагается вместо сплошной пленки создать структурированную систему из отдельных VO2-элементов микронных размеров, допускающих гораздо более быстрое охлаждение, что подтверждается экспериментально.",
keywords = "МОДУЛЯЦИЯ ТГЦ-ИЗЛУЧЕНИЯ, ДИОКСИД ВАНАДИЯ, ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ, НОВОСИБИРСКИЙ ЛАЗЕР НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ",
author = "Бортников Сергей and Герасимов, {Василий Валерьевич} and Д.В. Дмитриев",
note = "Бортников, С. Г. Модуляция ТГЦ-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия / С. Г. Бортников, В. В. Герасимов, Д. В. Дмитриев // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 6. – С. 15-22. – DOI 10.15372/AUT20250602. – EDN RCVEYS. Работа выполнена в рамках государственного задания FWGW-2025-0024.",
year = "2025",
month = dec,
doi = "10.15372/AUT20250602",
language = "русский",
volume = "61",
pages = "15--22",
journal = "Автометрия",
issn = "0320-7102",
publisher = "ФГУП {"}Издательство СО РАН{"}",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Модуляция ТГц-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия

AU - Сергей, Бортников

AU - Герасимов, Василий Валерьевич

AU - Дмитриев, Д.В.

N1 - Бортников, С. Г. Модуляция ТГЦ-излучения на основе явления фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия / С. Г. Бортников, В. В. Герасимов, Д. В. Дмитриев // Автометрия. – 2025. – Т. 61, № 6. – С. 15-22. – DOI 10.15372/AUT20250602. – EDN RCVEYS. Работа выполнена в рамках государственного задания FWGW-2025-0024.

PY - 2025/12

Y1 - 2025/12

N2 - В работе исследован способ модуляции ТГц-излучения, основанный на явлении фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия (VO2). При термическом разогреве пленки VO2 на кремниевой подложке до металлического состояния наблюдается ослабление пропускания ТГц-излучения на ~80%. Для двухэлектродных структур с пленкой VO2 с межэлектродным расстоянием миллиметровых размеров при нагреве пленки электрическим током наблюдается ослабление пропускания лишь на ~42%. При этом из-за разогрева подложки, на которую нанесена пленка VO2, происходит медленная (секундная) динамика охлаждения и обратного перехода пленки в полупроводниковое состояние. Для увеличения модуляционной частоты до сотен кГц предлагается вместо сплошной пленки создать структурированную систему из отдельных VO2-элементов микронных размеров, допускающих гораздо более быстрое охлаждение, что подтверждается экспериментально.

AB - В работе исследован способ модуляции ТГц-излучения, основанный на явлении фазового перехода полупроводник-металл в диоксиде ванадия (VO2). При термическом разогреве пленки VO2 на кремниевой подложке до металлического состояния наблюдается ослабление пропускания ТГц-излучения на ~80%. Для двухэлектродных структур с пленкой VO2 с межэлектродным расстоянием миллиметровых размеров при нагреве пленки электрическим током наблюдается ослабление пропускания лишь на ~42%. При этом из-за разогрева подложки, на которую нанесена пленка VO2, происходит медленная (секундная) динамика охлаждения и обратного перехода пленки в полупроводниковое состояние. Для увеличения модуляционной частоты до сотен кГц предлагается вместо сплошной пленки создать структурированную систему из отдельных VO2-элементов микронных размеров, допускающих гораздо более быстрое охлаждение, что подтверждается экспериментально.

KW - МОДУЛЯЦИЯ ТГЦ-ИЗЛУЧЕНИЯ

KW - ДИОКСИД ВАНАДИЯ

KW - ФАЗОВЫЙ ПЕРЕХОД ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ

KW - НОВОСИБИРСКИЙ ЛАЗЕР НА СВОБОДНЫХ ЭЛЕКТРОНАХ

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=87311121

U2 - 10.15372/AUT20250602

DO - 10.15372/AUT20250602

M3 - статья

VL - 61

SP - 15

EP - 22

JO - Автометрия

JF - Автометрия

SN - 0320-7102

IS - 6

ER -

ID: 74215645