TY - PAT

T1 - Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов и способ его получения

AU - Лобанов, Сергей Иванович

AU - Исаенко, Людмила Ивановна

AU - Елисеев, Александр Павлович

AU - Голошумова, Алина Александровна

AU - Курусь, Алексей Федорович

PY - 2021/12/29

Y1 - 2021/12/29

N2 - Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов для нелинейной оптики. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной IУвеличенное изображение (открывается в отдельном окне)2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,9910,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм. Способ получения монокристалла LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98, состоит в том, что предварительно синтезируют соединения LixAg1-xGaSe2 из элементарных компонентов Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N) в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, затем выращивают монокристалл методом Бриджмена в вакуумированной ампуле, установленной в печи, при скорости выращивания от 5 до 10 мм/сут и среднем значении аксиального температурного градиента от 10 до 20°С/см и охлаждают печь при комнатной температуре. Полученные кристаллы прозрачны в широком интервале длин волн и позволяют реализовать перестройку лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон.

AB - Изобретение относится к кристаллам литиевых халькогенидов для нелинейной оптики. Нелинейный монокристалл литиевых халькогенидов общей формулы LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98 с соответствующим изменением пространственной группы от тетрагональной IУвеличенное изображение (открывается в отдельном окне)2d до ромбической Pna21 (при х=0,98), параметры элементарной ячейки 5,9910,02, нелинейным коэффициентом 9,9-39,0 пм/В, порогом оптического разрушения 15-90 МВт/см2 при длительности импульса 6 нс, частоте повторения 100 Гц, длине волны 1,064 мкм. Способ получения монокристалла LixAg1-xGaSe2, где х принимает любое значение от 0,01 до 0,98, состоит в том, что предварительно синтезируют соединения LixAg1-xGaSe2 из элементарных компонентов Ag, Se, Ga (4N) и Li (2N) в условиях обеспечения стехиометрического соотношения компонентов, затем выращивают монокристалл методом Бриджмена в вакуумированной ампуле, установленной в печи, при скорости выращивания от 5 до 10 мм/сут и среднем значении аксиального температурного градиента от 10 до 20°С/см и охлаждают печь при комнатной температуре. Полученные кристаллы прозрачны в широком интервале длин волн и позволяют реализовать перестройку лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон.

KW - РОСТ КИСТАЛЛОВ

KW - НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКИЙ КРИСТАЛЛ

KW - ДИАПАЗОН ПРОЗРАЧНОСТИ

KW - ДВУЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЕ

KW - ШИРИНА ЗАПРЕЩЕННОЙ ЗОНЫ

KW - ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ

KW - КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА

M3 - патент на изобретение

M1 - 2763463

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -