Standard

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ). / Кузнецов, Сергей Александрович (Author); Федоринин, Виктор Николаевич (Author); Гельфанд, Александр Витальевич (Author) et al.

Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2447574. Apr 10, 2012.

Research output: PatentPatent for invention

Harvard

APA

Кузнецов, С. А., Федоринин, В. Н., Гельфанд, А. В., Паулиш, А. Г., & Лазорский, П. А. (2012). ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ). (Patent No. 2447574). Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2447574&TypeFile=html

Vancouver

Кузнецов СА, Федоринин ВН, Гельфанд АВ, Паулиш АГ, Лазорский ПА, inventors. ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ). 2447574. 2012 Apr 10.

Author

Кузнецов, Сергей Александрович (Author) ; Федоринин, Виктор Николаевич (Author) ; Гельфанд, Александр Витальевич (Author) et al. / ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ). Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Patent No.: 2447574. Apr 10, 2012.

BibTeX

@misc{d99b9d84c32744bd9aa85885a30b7449,
title = "ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)",
abstract = "Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Технический результат заключается в возможности проведения в реальном времени измерений интенсивности электромагнитного излучения в терагерцовой области с пространственным разрешением, а также с поляризационным разрешением. Предложен преобразователь терагерцового излучения в инфракрасное излучение (которое может быть зарегистрировано с помощью имеющихся на сегодняшний день инфракрасных матричных приемников), обладающий высокой чувствительностью к терагерцовому излучению, высоким пространственным разрешением, чувствительностью к поляризации излучения, малым временем отклика. Преобразователь выполнен в виде ультратонкой (не менее чем в 50 раз меньше длины волны терагерцового излучения) многослойной структуры на основе диэлектрического слоя. Со стороны падения терагерцового излучения на поверхности диэлектрического слоя выполнен металлизированный топологический рисунок, образующий частотно-избирательную поверхность (ЧИП). С обратной стороны диэлектрического слоя нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, поверх которого нанесен тонкий слой материала, обладающего высокой излучательной способностью в инфракрасном диапазоне (коэффициент серости, близкий к единице). Вариантом является преобразователь, в котором с обратной стороны диэлектрического слоя резонансного поглотителя терагерцового излучения поверх слоя с металлической проводимостью вместо излучающего слоя наносится второй диэлектрический слой, на котором формируется металлизированный топологический рисунок, образующий вторую частотно-избирательную поверхность.",
author = "Кузнецов, {Сергей Александрович} and Федоринин, {Виктор Николаевич} and Гельфанд, {Александр Витальевич} and Паулиш, {Андрей Георгиевич} and Лазорский, {Павел Александрович}",
year = "2012",
month = apr,
day = "10",
language = "русский",
publisher = "Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности",
type = "Patent",
note = "2447574; H03D7/00",

}

RIS

TY - PAT

T1 - ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ВАРИАНТЫ)

AU - Кузнецов, Сергей Александрович

AU - Федоринин, Виктор Николаевич

AU - Гельфанд, Александр Витальевич

AU - Паулиш, Андрей Георгиевич

AU - Лазорский, Павел Александрович

PY - 2012/4/10

Y1 - 2012/4/10

N2 - Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Технический результат заключается в возможности проведения в реальном времени измерений интенсивности электромагнитного излучения в терагерцовой области с пространственным разрешением, а также с поляризационным разрешением. Предложен преобразователь терагерцового излучения в инфракрасное излучение (которое может быть зарегистрировано с помощью имеющихся на сегодняшний день инфракрасных матричных приемников), обладающий высокой чувствительностью к терагерцовому излучению, высоким пространственным разрешением, чувствительностью к поляризации излучения, малым временем отклика. Преобразователь выполнен в виде ультратонкой (не менее чем в 50 раз меньше длины волны терагерцового излучения) многослойной структуры на основе диэлектрического слоя. Со стороны падения терагерцового излучения на поверхности диэлектрического слоя выполнен металлизированный топологический рисунок, образующий частотно-избирательную поверхность (ЧИП). С обратной стороны диэлектрического слоя нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, поверх которого нанесен тонкий слой материала, обладающего высокой излучательной способностью в инфракрасном диапазоне (коэффициент серости, близкий к единице). Вариантом является преобразователь, в котором с обратной стороны диэлектрического слоя резонансного поглотителя терагерцового излучения поверх слоя с металлической проводимостью вместо излучающего слоя наносится второй диэлектрический слой, на котором формируется металлизированный топологический рисунок, образующий вторую частотно-избирательную поверхность.

AB - Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Технический результат заключается в возможности проведения в реальном времени измерений интенсивности электромагнитного излучения в терагерцовой области с пространственным разрешением, а также с поляризационным разрешением. Предложен преобразователь терагерцового излучения в инфракрасное излучение (которое может быть зарегистрировано с помощью имеющихся на сегодняшний день инфракрасных матричных приемников), обладающий высокой чувствительностью к терагерцовому излучению, высоким пространственным разрешением, чувствительностью к поляризации излучения, малым временем отклика. Преобразователь выполнен в виде ультратонкой (не менее чем в 50 раз меньше длины волны терагерцового излучения) многослойной структуры на основе диэлектрического слоя. Со стороны падения терагерцового излучения на поверхности диэлектрического слоя выполнен металлизированный топологический рисунок, образующий частотно-избирательную поверхность (ЧИП). С обратной стороны диэлектрического слоя нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, поверх которого нанесен тонкий слой материала, обладающего высокой излучательной способностью в инфракрасном диапазоне (коэффициент серости, близкий к единице). Вариантом является преобразователь, в котором с обратной стороны диэлектрического слоя резонансного поглотителя терагерцового излучения поверх слоя с металлической проводимостью вместо излучающего слоя наносится второй диэлектрический слой, на котором формируется металлизированный топологический рисунок, образующий вторую частотно-избирательную поверхность.

M3 - патент на изобретение

M1 - 2447574

PB - Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности

ER -

ID: 27107171