5691 - 5700 из 25 487Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. “Electronic Structure of Atoms” Information System for Atomic Spectroscopy

    Kazakov, V. V., Kazakov, V. G., Meshkov, O. I. & Yatsenko, A. S., мая 2024, в: Russian Journal of Physical Chemistry A. 98, 5, стр. 828-836 9 стр., 3.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Electronic structure of functionalized thia- and calix[4]arenes

    Mazalov, L. N., Lavrukhina, S. A., Fedorenko, A. D., Semushkina, G. I. & Kalinkin, A. V., 1 сент. 2017, в: Journal of Structural Chemistry. 58, 5, стр. 866-875 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSb x)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Electronic structure of nitrogen-and phosphorus-doped graphenes grown by chemical vapor deposition method

    Bulusheva, L. G., Arkhipov, V. E., Popov, K. M., Sysoev, V. I., Makarova, A. A. & Okotrub, A. V., 6 мар. 2020, в: Materials. 13, 5, 14 стр., 1173.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electronic Structure of Pb Adsorbed Surfaces of Intrinsic Magnetic Topological Insulators

    Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 28 июл. 2022, в: The journal of physical chemistry letters. 13, 29, стр. 6628-6634 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Electronic structure of silicon oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition for memristor application

    Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Gismatulin, A. A., Cherkova, S. G., Prosvirin, I. P., Astankova, K. N. & Gritsenko, V. A., 15 дек. 2022, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 598, 8 стр., 121925.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Electronic thermal conductivity in 2D topological insulator in a HgTe quantum well

    Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Levin, A. D., Olshanetsky, E. B., Raichev, O. E., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 29 янв. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 831 7 стр., 831.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Electron mass in a HgTe quantum well: Experiment versus theory

    Minkov, G. M., Aleshkin, V. Y., Rut, O. E., Sherstobitov, A. A., Germanenko, A. V., Dvoretski, S. A. & Mikhailov, N. N., февр. 2020, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 116, 8 стр., 113742.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...566 567 568 569 570 571 572 573 ...2549 Далее