1. Charge transport mechanism in SiNx-based memristor

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Yen, T. J. & Chin, A., 16 дек. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 25, 5 стр., 253502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Charge Transport Mechanism in the Forming-Free Memristor Based on PECVD Silicon Oxynitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Gritsenko, V. A., февр. 2023, в: Electronics (Switzerland). 12, 3, 598.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Charge transport mechanism in the metal-nitride-oxide-silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Mizginov, D. S. & Krasnikov, G. Y., 18 мая 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 20, 5 стр., 203502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, в: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Charge transport mechanism of high-resistive state in RRAM based on SiOx

    Gismatulin, A. A., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Prosvirin, I. P., Yen, T. J. & Chin, A., 21 янв. 2019, в: Applied Physics Letters. 114, 3, 5 стр., 033503.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Charging of Geostationary Satellite Electro-L2 in the Earth Shadow

    Novikov, L. S., Makletsov, A. A., Sinolits, V. V., Chirskaya, N. P., Nikolsky, E. V., Pakostina, A. V., Bakutov, A. E., Prokopiev, Y. M. & Shilov, A. M., 1 авг. 2019, в: IEEE Transactions on Plasma Science. 47, 8, стр. 3931-3936 6 стр., 8731751.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Charm at KEDR

    KEDR Collaboration & Бару, С. Е., 10 нояб. 2021, в: Proceedings of Science. 385, 008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  9. Charnockites of the Central Part of the Anabar Shield: Distribution, Petrogeochemical Composition, Age, and Formation Conditions

    Nozhkin, A. D., Turkina, O. M., Sal’nikova, E. B., Likhanov, I. I. & Savko, K. A., авг. 2022, в: Geochemistry International. 60, 8, стр. 711-723 13 стр., 1.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Cheaper, Faster, or Better: Are simple estimations of safety parameters of hazardous materials reliable? Comments on “Thermal behaviors, nonisothermal decomposition reaction kinetics, thermal safety and burning rates of BTATz-CMDB propellant” by Zhao et al. (2010)

    Muravyev, N. V. & Kiselev, V. G., 15 июл. 2017, в: Journal of Hazardous Materials. 334, стр. 267-270 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование