2781 - 2790 из 25 935Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Charge transport mechanism and amphoteric nature of traps in amorphous silicon nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., 15 сент. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 544, 7 стр., 120186.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge Transport Mechanism in a Formless Memristor Based on Silicon Nitride

    Orlov, O. M., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A. & Mizginov, D. S., 1 сент. 2020, в: Russian Microelectronics. 49, 5, стр. 372-377 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaOx Films

    Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Charge transport mechanism in [GeOx](z)[SiO2](1-z) based MIS structures

    Yushkov, I. D., Gismatulin, A. A., Prosvirin, I. P., Kamaev, G. N., Marin, D. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., 9 дек. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 24, 242901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Charge transport mechanism in La:HfO2

    Gritsenko, V. A. & Gismatulin, A. A., 5 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 14, 4 стр., 142901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low- k dielectric

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., 19 авг. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 8, 5 стр., 082904.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Charge transport mechanism in SiNx-based memristor

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Yen, T. J. & Chin, A., 16 дек. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 25, 5 стр., 253502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Charge Transport Mechanism in the Forming-Free Memristor Based on PECVD Silicon Oxynitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Volodin, V. A. & Gritsenko, V. A., февр. 2023, в: Electronics (Switzerland). 12, 3, 598.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...275 276 277 278 279 280 281 282 ...2594 Далее