2721 - 2730 из 25 286Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Charge Transport and the Nature of Traps in Oxygen Deficient Tantalum Oxide

    Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Voronkovskii, V. A., Gismatulin, A. A., Kruchinin, V. N., Aliev, V. S., Pustovarov, V. A., Prosvirin, I. P. & Roizin, Y., 31 янв. 2018, в: ACS Applied Materials and Interfaces. 10, 4, стр. 3769-3775 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Charge Transport in Amorphous Silicon Nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., окт. 2021, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 133, 4, стр. 488-493 6 стр., 13.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge Transport in Nonstoichiometric SiO x Obtained by Treatment of Thermal SiO2 in Hydrogen Plasma of Electronic-Cyclotron Resonance

    Iskhakzay, R. M. K., Kruchinin, V. N., Aliev, V. S., Gritsenko, V. A., Dementieva, E. V. & Zamoryanskaya, M. V., февр. 2022, в: Russian Microelectronics. 51, 1, стр. 24-35 12 стр., 3.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Charge transport mechanism and amphoteric nature of traps in amorphous silicon nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., 15 сент. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 544, 7 стр., 120186.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Charge Transport Mechanism in a Formless Memristor Based on Silicon Nitride

    Orlov, O. M., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A. & Mizginov, D. S., 1 сент. 2020, в: Russian Microelectronics. 49, 5, стр. 372-377 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaOx Films

    Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Charge transport mechanism in [GeOx](z)[SiO2](1-z) based MIS structures

    Yushkov, I. D., Gismatulin, A. A., Prosvirin, I. P., Kamaev, G. N., Marin, D. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., 9 дек. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 24, 242901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...269 270 271 272 273 274 275 276 ...2529 Далее