1. 2017
  2. Mechanisms for Strong Anisotropy of In-Plane g -Factors in Hole Based Quantum Point Contacts

    Miserev, D. S., Srinivasan, A., Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Farrer, I., Ritchie, D. A., Hamilton, A. R. & Sushkov, O. P., 12 сент. 2017, в: Physical Review Letters. 119, 11, 5 стр., 116803.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 131-155 25 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийглава/разделнаучнаяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3433215