Mon, 01 Dec 2025 00:00:00 GMT

Mathematical Modeling of Charge Transport in the Dielectric Layer of a HfOx Memristor Taking into Account Single Charged Traps
Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Voronkovskii, V. A., Markelova, A. K., Pil’nik, A. A., Perevalov, T. V., Davydov, M. N. & Chernov, A. A., дек. 2025, в: Russian Microelectronics. 54, 8, стр. 922-928 7 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Язык оригинала | английский
Страницы (с-по) | 922-928
Число страниц | 7
Журнал | Russian Microelectronics
Том | 54
Номер выпуска | 8
DOI | https://doi.org/10.1134/S1063739725601821
Состояние | Опубликовано - дек. 2025