31 - 40 из 78Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Kelvin force and Raman microscopies of flat SiGe structures with different compositions grown on Si(111) at high temperatures

    Shklyaev, A. A., Bolotov, L., Poborchii, V., Tada, T. & Romanyuk, K. N., 15 авг. 2018, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 83, стр. 107-114 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Lateral-electric-field-induced spin polarization in a suspended GaAs quantum point contact

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 19 февр. 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 8, 4 стр., 082102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Nano-channel anisotropic optical material containing ∼5 nm diameter aligned Se nanowires with enhanced photo-structural effects and unique photonic, electronic, phononic and thermal properties

    Poborchii, V. V., Sachkov, V. A., Shklyaev, A. A. & Geshev, P. I., янв. 2026, в: Optical Materials. 169, 12 стр., 117712.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Nanoscale characterization of photonic metasurface made of lens-like SiGe Mie-resonators formed on Si (100) substrate

    Poborchii, V., Shklyaev, A., Bolotov, L. & Uchida, N., 28 сент. 2019, в: Journal of Applied Physics. 126, 12, 11 стр., 123102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3:Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Optical properties of extreme tellurium nanowires formed in subnanometer-diameter channels

    Poborchii, V. V., Fokin, A. V. & Shklyaev, A. A., 19 нояб. 2022, в: Nanoscale Advances. 5, 1, стр. 220-227 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Phononic, photonic and excitonic properties of ∼5 nm diameter aligned CdSe nanowires

    Poborchii, V. V., Shklyaev, A. A. & Fokin, A. V., февр. 2025, в: Journal of Physics and Chemistry of Solids. 197, 112424.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 3455017