1 - 17 из 17Размер страницы: 100
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Effect of n- and p-Doping on Vacancy Formation in Cationic and Anionic Sublattices of (In,Al)As/AlAs and Al(Sb,As)/AlAs Heterostructures

    Shamirzaev, T. S. & Atuchin, V. V., 23 июл. 2023, в: Nanomaterials. 13, 14, 2136.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Optical Orientation of Excitons in a Longitudinal Magnetic Field in Indirect-Band-Gap (In,Al)As/AlAs Quantum Dots with Type-I Band Alignment

    Shamirzaev, T. S., Shumilin, A. V., Smirnov, D. S., Kudlacik, D., Nekrasov, S. V., Kusrayev, Y. G., Yakovlev, D. R. & Bayer, M., 14 февр. 2023, в: Nanomaterials. 13, 4, 729.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Dynamics of Vacancy Formation and Distribution in Semiconductor Heterostructures: Effect of Thermally Generated Intrinsic Electrons

    Shamirzaev, T. S., Atuchin, V. V., Zhilitskiy, V. E. & Gornov, A. Y., 11 янв. 2023, в: Nanomaterials. 13, 2, 308.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. 2022

  6. New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Eremeev, S. V., Kustov, D. A., Rusinov, I. P., Shamirzaev, T. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., 14 окт. 2022, в: Physical Review Letters. 129, 16, 166802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2020

  8. Spectral detection of spin-polarized ultra low-energy electrons in semiconductor heterostructures

    Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Shamirzaev, T. S., Dmitriev, D. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 1 нояб. 2020, в: Ultramicroscopy. 218, 8 стр., 113076.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2019

  10. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Type-I Indirect-Gap Semiconductor Heterostructures on (110) Substrates

    Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 мая 2019, в: Semiconductors. 53, 5, стр. 703-710 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. 2018

  13. Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1484-1490 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1392-1397 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 2017

  18. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Stress-induced indirect to direct band gap transition in β -FeSi2 nanocrystals embedded in Si

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotsenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Iinuma, M. & Terai, Y., 14 сент. 2017, Proceedings of International Conference on Metamaterials and Nanophotonics, METANANO 2017. American Institute of Physics Inc., Том 1874. 5 стр. 030007. (AIP Conference Proceedings; том 1874).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  21. Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3444977