Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Effect of n- and p-Doping on Vacancy Formation in Cationic and Anionic Sublattices of (In,Al)As/AlAs and Al(Sb,As)/AlAs Heterostructures

Shamirzaev, T. S. & Atuchin, V. V., 23 июл. 2023, в: Nanomaterials. 13, 14, 2136.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Dynamics of Vacancy Formation and Distribution in Semiconductor Heterostructures: Effect of Thermally Generated Intrinsic Electrons

Shamirzaev, T. S., Atuchin, V. V., Zhilitskiy, V. E. & Gornov, A. Y., 11 янв. 2023, в: Nanomaterials. 13, 2, 308.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi₂ nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование