1 - 10 из 17Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Dynamics of Vacancy Formation and Distribution in Semiconductor Heterostructures: Effect of Thermally Generated Intrinsic Electrons

    Shamirzaev, T. S., Atuchin, V. V., Zhilitskiy, V. E. & Gornov, A. Y., 11 янв. 2023, в: Nanomaterials. 13, 2, 308.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Effect of n- and p-Doping on Vacancy Formation in Cationic and Anionic Sublattices of (In,Al)As/AlAs and Al(Sb,As)/AlAs Heterostructures

    Shamirzaev, T. S. & Atuchin, V. V., 23 июл. 2023, в: Nanomaterials. 13, 14, 2136.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. GaAs/GaP Quantum-Well Heterostructures Grown on Si Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Emelyanov, E. A., Preobrazhenskii, V. V., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1143-1147 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1484-1490 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3444977