1. 2017
  2. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 2018
  4. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  5. 2019
  6. Relaxational kinetics of photoemission from Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces at elevated temperatures

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012011.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  7. Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Evolution of photoemission properties on Cs/GaAs and GaAs(Cs,O) surfaces under thermal cycling

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 20 дек. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1410, 1, 012128.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  9. 2020
  10. Photovoltage measurement by modulated photoemission on the p-GaAs surface with cesium overlayers

    Khoroshilov, V. S., Protopopov, D. E., Kazantsev, D. M. & Zhuravlev, A. G., 1 мар. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1482, 1, 012013.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  11. Photoemission from p-GaAs(Cs,O) under transition from negative to positive electron affinity

    Protopopov, D. E., Khoroshilov, V. S., Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M. & Alperovich, V. L., 28 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1695, 1, 012105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  12. 2022
  13. Transition from Sublimation to Growth in Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces

    Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 25-28 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  14. Asymmetry of anticrossing between atomic steps on metal and semiconductor surfaces

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Coupeau, C. & Drouet, M., 28 мар. 2022, в: Journal of Physics: Conference Series. 2227, 1, 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  15. 2023
  16. Kinetically driven thermal roughening of semiconductor surfaces: experiment on GaAs and Monte Carlo simulation

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhuhov, A. S., Khoroshilov, V. S., Shwartz, N. L., Alperovich, V. L. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2023, в: Physica Scripta. 98, 3, 035702.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3503289