61 - 78 из 78Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Approximate analytical description of the elastic strain field due to an inclusion in a continuous medium with cubic anisotropy

    Nenashev, A. V., Koshkarev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 14 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 10, 11 стр., 105104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. 2017

  6. Effect of Interstitials Embedded in Pre-Patterned Si Substrate on Location of Ge Nanoislands

    Novikov, P. L., Atovullaev, T., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V. & Pavskii, K. V., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 4 стр., 1700200.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Photoluminescence from Ordered Ge/Si Quantum Dot Groups Grown on the Strain-Patterned Substrates

    Dvurechenskii, A., Zinovieva, A., Zinovyev, V., Nenashev, A., Smagina, Z., Teys, S., Shklyaev, A., Erenburg, S., Trubina, S., Borodavchenko, O., Zhivulko, V. & Mudryi, A., 1 дек. 2017, в: Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. 14, 12, 6 стр., 1700187.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Field dependence of hopping mobility: Lattice models against spatial disorder

    Oelerich, J. O., Nenashev, A. V., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 нояб. 2017, в: Physical Review B. 96, 19, 9 стр., 195208.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots

    Stepina, N. P., Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2017, в: JETP Letters. 106, 5, стр. 308-312 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Fundamental characteristic length scale for the field dependence of hopping charge transport in disordered organic semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 21 июл. 2017, в: Physical Review B. 96, 3, 7 стр., 035204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Spin relaxation in Si nanoclusters embedded in free-standing SiGe nanocolumns

    Stepina, N. P., Zinovieva, A. F., Dvurechenskii, A. V., Noda, S., Molla, M. Z. & Samukawa, S., 15 мая 2017, в: Applied Physics Letters. 110, 20, 4 стр., 203103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 апр. 2017, в: JETP Letters. 105, 7, стр. 426-429 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  18. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  19. Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots

    Dvurechenskii, A. V. & Yakimov, A. I., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 59-99 41 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  20. The Energy Pulse-Oriented Crystallization Phenomenon in Solids (Laser Annealing)

    Dvurechenskii, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 367-381 15 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 3442376