241 - 250 из 442Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Electronic Spectrum and Optical Properties of Quantum Wires Made from Transition Metal Dichalcogenides

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., 1 окт. 2019, в: JETP Letters. 110, 8, стр. 540-544 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Ordered Arrays of Ge(Si) Quantum Dots Incorporated into Two-Dimensional Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Fomin, B. I., Stepikhova, M. V., Yablonskiy, A. N., Gusev, S. A., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 окт. 2019, в: Semiconductors. 53, 10, стр. 1329-1333 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Energy Surface of Pit-Patterned Templates for Growth of Space-Arranged Arrays of Quantum Dots - Molecular Dynamics Calculations Using High-Efficiency Algorithms

    Novikov, P. L., Dvurechenskii, A. V. & Pavsky, K. V., окт. 2019, 2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., 8934013. (2019 International Multi-Conference on Industrial Engineering and Modern Technologies, FarEastCon 2019).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  5. Percolation description of charge transport in amorphous oxide semiconductors

    Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 12 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 12, 8 стр., 125202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Electronic correlation determining correlated plasmons in Sb-doped B i2 S e3

    Das, P. K., Whitcher, T. J., Yang, M., Chi, X., Feng, Y. P., Lin, W., Chen, J. S., Vobornik, I., Fujii, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Diao, C. Z., Moon, J., Oh, S., Castro-Neto, A. H., Breese, M. B. H., Wee, A. T. S. & Rusydi, A., 4 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 11, 11 стр., 115109.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Magnetic-impurity-induced modifications to ultrafast carrier dynamics in the ferromagnetic topological insulators Sb2-xVxTe3

    Sumida, K., Kakoki, M., Reimann, J., Nurmamat, M., Goto, S., Takeda, Y., Saitoh, Y., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Guedde, J., Hofer, U. & Kimura, A., 4 сент. 2019, в: New Journal of Physics. 21, 8 стр., 093006.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes

    Ikonnikov, A. V., Chernichkin, V. I., Dudin, V. S., Akopian, D. A., Akimov, A. N., Klimov, A. E., Tereshchenko, O. E., Ryabova, L. I. & Khokhlov, D. R., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1272-1277 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3

    Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. M., 1 сент. 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404-412 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Modulation of Magneto-Intersubband Oscillations in a One-Dimensional Lateral Superlattice

    Bykov, A. A., Strygin, I. S., Goran, A. V., Nomokonov, D. V., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 5, стр. 354-358 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...21 22 23 24 25 26 27 28 ...45 Далее

ID: 3084764