Enhancing the photoluminescence response of thick Ge-on-Si layers using photonic crystals

Yurasov, D., Yablonskiy, A. N., Baidakova, N. A., Shaleev, M., Rodyakina, E. E., Dyakov, S. A. & Novikov, A., 17 февр. 2022, в: Journal Physics D: Applied Physics. 55, 7, 8 стр., 075107.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Dependence of the Luminescence Properties of Ordered Groups of Ge(Si) Nanoislands on the Parameters of the Pit-Patterned Surface of a Silicon-on-Insulator Substrate

Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Stepikhova, M. V., Peretokin, A. V., Dyakov, S. A., Rodyakina, E. E., Novikov, A. V. & Dvurechenskii, A. V., февр. 2022, в: Semiconductors. 56, 2, стр. 101-106 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Tuning the configuration of quantum dot molecules grown on stacked multilayers of heteroepitaxial islands

Rudin, S. A., Zinovyev, V. A., Smagina, Z. V., Novikov, P. L., Shklyaev, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 21 янв. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 3, 035302.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Generating Function Method for Calculating the Potentials of Inhomogeneous Polyhedra

Nenashev, A. V., 20 янв. 2022, в: Frontiers in Physics. 9, 795693.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Structural, optical and electronic properties of the wide bandgap topological insulator Bi_1.1Sb_0.9Te₂S

Khatchenko, Y. E., Yakushev, M. V., Seibel, C., Bentmann, H., Orlita, M., Golyashov, V., Ponosov, Y. S., Stepina, N. P., Mudriy, A. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Reinert, F., Martin, R. W. & Kuznetsova, T. V., 15 янв. 2022, в: Journal of Alloys and Compounds. 890, 161824.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Modulation of the Dirac Point Band Gap in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi₂Te₄ due to the Surface Potential Gradient Change

Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Zaitsev, N. L., Glazkova, D. A., Klimovskikh, I. I., Fil’nov, S. O., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., янв. 2022, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134, 1, стр. 103-111 9 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well

Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Entin, M. & Mikhailov, N. N., янв. 2022, в: 2D Materials. 9, 1, 8 стр., 015021.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Weak antilocalization to weak localization transition in Bi₂Se₃ films on graphene

Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование