Chemically prepared tellurium layer on PbSnTe films: passivation and oxidation properties

Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Fedosenko, E. V., Golyashov, V. A., Shvets, V. A., Suprun, S. P., Kyrova, E. D., Mikaeva, A. S. & Tereshchenko, O. E., 15 авг. 2025, в: Surfaces and Interfaces. 71, 8 стр., 106887.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Change of the topological surface states induced by ferromagnetic metals deposited on BiSbTeSe2

Kaveev, A. K., Terpitskiy, A. N., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M. & Schwier, E. F., 17 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1697, 1, 012095.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

Makeeva, A. A., Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 647, 127873.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Broadband Antireflection Coatings Composed of Subwavelength-Sized SiGe Particles

Utkin, D. E., Tsarev, A. V., Utkin, E. N., Latyshev, A. V. & Shklyaev, A. A., 1 сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 494-504 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction

Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1130-1135 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bi₂Se₃Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene

Antonova, I. V., Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Suprun, E. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 сент. 2022, в: Crystal Growth and Design. 22, 9, стр. 5335-5344 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bielectron Formed in a 2D System by the Spin–Orbit Interaction and Image Forces

Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2018, в: JETP Letters. 107, 9, стр. 564-568 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bidirectional surface photovoltage on a topological insulator

Yoshikawa, T., Sumida, K., Ishida, Y., Chen, J., Nurmamat, M., Akiba, K., Miyake, A., Tokunaga, M., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 31 окт. 2019, в: Physical Review B. 100, 16, 165311.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование