1. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSb x)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Electronic state back action on mechanical motion in a quantum point contact coupled to a nanomechanical resonator

    Шевырин, А. А., Бакаров, А. К., Шкляев, А. А. & Погосов, А. Г., 4 нояб. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 19, 192105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Electronic Spectrum and Optical Properties of Quantum Wires Made from Transition Metal Dichalcogenides

    Vitlina, R. Z., Magarill, L. I. & Chaplik, A. V., 1 окт. 2019, в: JETP Letters. 110, 8, стр. 540-544 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Electronic correlation determining correlated plasmons in Sb-doped B i2 S e3

    Das, P. K., Whitcher, T. J., Yang, M., Chi, X., Feng, Y. P., Lin, W., Chen, J. S., Vobornik, I., Fujii, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Diao, C. Z., Moon, J., Oh, S., Castro-Neto, A. H., Breese, M. B. H., Wee, A. T. S. & Rusydi, A., 4 сент. 2019, в: Physical Review B. 100, 11, 11 стр., 115109.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Electron-Beam Radiation Effects in Multilayer Structures Grown with the Periodical Deposition of Si and CaF2 on Si(111)

    Dvurechenskii, A. V., Kacyuba, A. V., Kamaev, G. N., Volodin, V. A., Stepina, N. P., Zinovieva, A. F. & Zinovyev, V. A., мая 2023, в: Materials Today: Proceedings. 14, 1, 68.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  10. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764