321 - 330 из 442Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological crystalline insulator films

    Tarasov, A. S., Ishchenko, D. V., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Suprun, S. P., Fedosenko, E. V., Sherstyakova, V. N., Rybkin, A. G., Vilkov, O. Y. & Tereshchenko, O. E., 15 дек. 2021, в: Applied Surface Science. 569, 150930.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2022

  4. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 116, 2, (83-89), 10.1134/S0021364022601208)

    Semenin, N. V., Borisenko, A. S., Zalivako, I. V., Semerikov, I. A., Aksenov, M. D., Khabarova, K. Y., Kolachevsky, N. N., Glazyrin, S. I., Lykov, V. A., Karpov, S. A., Karlykhanov, N. G., Gryaznykh, D. A., Bychenkov, V. Y., Karelina, L. N., Shuravin, N. S., Ionin, A. S., Bakurskiy, S. V., Egorov, S. V., Golovchanskiy, I. A., Chichkov, V. I., еще 6Bol’ginov, V. V., Ryazanov, V. V., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Tkachenko, V. A. & Kvon, Z. D., 2022, в: JETP Letters. 116, 12, стр. 912-913 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Non-integer High-Harmonic Generation from a Topological Insulator Surface

    Meierhofer, M., Schmid, C. P., Weigl, L., Grössing, P., Junk, V., Gorini, C., Schlauderer, S., Ito, S., Hofmann, N., Afanasiev, D., Crewse, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Güdde, J., Evers, F., Wilhelm, J., Richter, K., Höfer, U. & Huber, R., 2022, International Conference on Ultrafast Phenomena, UP 2022. OSA Publishing, 2 стр. W2A.2. (Optics InfoBase Conference Papers).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  6. Transition from Sublimation to Growth in Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces

    Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhuhov, A. S. & Alperovich, V. L., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 25-28 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  7. Van der Waals Heteroepitaxial Growth of Layered SnSe2 on Surfaces Si(111) and Bi2Se3 (0001)

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Kurus’, N. N., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 2022, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 58, 6, стр. 564-570 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Кафедра физики полупроводников физического факультета Новосибирского государственного университета

    Альперович, В. Л., Квон, З. Д. & Латышев, А. В., 2022, в: Сибирский физический журнал. 17, 1, стр. 104-117 14 стр., 9.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Modulation of the Dirac Point Band Gap in the Antiferromagnetic Topological Insulator MnBi2Te4 due to the Surface Potential Gradient Change

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Zaitsev, N. L., Glazkova, D. A., Klimovskikh, I. I., Fil’nov, S. O., Rybkin, A. G., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Zvezdin, K. A. & Zvezdin, A. K., янв. 2022, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 134, 1, стр. 103-111 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Transport through the network of topological channels in HgTe based quantum well

    Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Entin, M. & Mikhailov, N. N., янв. 2022, в: 2D Materials. 9, 1, 8 стр., 015021.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Weak antilocalization to weak localization transition in Bi2Se3 films on graphene

    Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Structural, optical and electronic properties of the wide bandgap topological insulator Bi1.1Sb0.9Te2S

    Khatchenko, Y. E., Yakushev, M. V., Seibel, C., Bentmann, H., Orlita, M., Golyashov, V., Ponosov, Y. S., Stepina, N. P., Mudriy, A. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Reinert, F., Martin, R. W. & Kuznetsova, T. V., 15 янв. 2022, в: Journal of Alloys and Compounds. 890, 161824.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...29 30 31 32 33 34 35 36 ...45 Далее

ID: 3084764