A highly porous surface of synthetic monocrystalline diamond: Effect of etching by Fe nanoparticles in hydrogen atmosphere

Chepurov, A., Sonin, V., Shcheglov, D., Latyshev, A., Filatov, E. & Yelisseyev, A., 1 нояб. 2018, в: International Journal of Refractory Metals and Hard Materials. 76, стр. 12-15 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Controlling the Si(001) Surface Morphology upon Thermal Annealing in a Vacuum Chamber

Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 1 нояб. 2018, в: Russian Microelectronics. 47, 6, стр. 365-370 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Gapless Dirac Electron Mobility and Quantum Time in HgTe Quantum Wells

Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Braginskii, L. S., Entin, M. V. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1468-1472 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Landau Level Broadening in the Three-Dimensional Topological Insulator Sb₂Te₃

Storz, O., Sessi, P., Wilfert, S., Dirker, C., Bathon, T., Kokh, K., Tereshchenko, O. & Bode, M., 1 нояб. 2018, в: Physica Status Solidi - Rapid Research Letters. 12, 11, 5 стр., 1800112.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › письмо/краткое сообщение › Рецензирование

Nucleation of Three-Dimensional Ge Islands on a Patterned Si(100) Surface

Rudin, S. A., Smagina, Z. V., Zinovyev, V. A., Novikov, P. L., Nenashev, A. V., Rodyakina, E. E. & Dvurechenskii, A. V., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1457-1461 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Towards microscopic control of the magnetic exchange coupling at the surface of a topological insulator

Rüßmann, P., Mahatha, S. K., Sessi, P., Valbuena, M. A., Bathon, T., Fauth, K., Godey, S., Mugarza, A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Gargiani, P., Valvidares, M., Jiménez, E., Brookes, N. B., Bode, M., Bihlmayer, G., Blügel, S., Mavropoulos, P., Carbone, C. & Barla, A., дек. 2018, в: JPhys Materials. 1, 1, 015002.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Atomic Force Microscopy Local Oxidation of GeO Thin Films

Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2081-2084 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction

Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1130-1135 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Plasmonic Enhancement of the Photoluminescence in Hybrid Structures with SiGe Quantum Dots and Ag Nanoislands

Zinovyev, V. A., Zinovieva, A. F., Katsuba, A. V., Smagina, Z. V., Dvurechenskii, A. V., Borodavchenko, O. M., Zhivulko, V. D. & Mudryi, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2149-2152 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Relaxational kinetics of photoemission and photon-enhanced thermionic emission from p-GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 дек. 2018, в: Applied Surface Science. 461, стр. 10-16 7 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование