В Новосибирском государственном университете ведущие специалисты в области полупроводниковой микроэлектроники и нанотехнологий обсудили их текущее состояние и перспективы развития в России.

References

TitleКак создаются гетероструктуры для принципиально новых датчиков
Degree of recognitionRegional
Media name/outletИФП СО РАН
Media typeWeb
Country/TerritoryRussian Federation
Date22.06.2023
PersonsАлександр Леонидович Асеев, Александр Васильевич Латышев

Description

В Новосибирском государственном университете ведущие специалисты в области полупроводниковой микроэлектроники и нанотехнологий обсудили их текущее состояние и перспективы развития в России.

Period22 Jun 2023

ID: 59577180